Publications, Lectures and Presentations

-このページの内容
Members of our research group, led by Professor Kazunari Kurita, actively contribute to international and domestic conferences, workshops, and symposia in the fields of semiconductor device engineering and materials science. The following invited presentations highlight key achievements in gettering technology, molecular ion implantation, and advanced CMOS image sensor engineering.
 

Invited Lectures at International Conferences

Professor Kurita has delivered numerous invited talks at major international conferences, including the International Workshop on Junction Technology (IWJT), the ECS Meeting, the International Conference on Ion Implantation Technology, GADEST, ICDS, and IEEE EDTM. These presentations have covered topics such as proximity gettering, hydrocarbon molecular ion implantation, cluster ion implantation, and wafer bonding technologies for advanced CMOS image sensors.

 

Invited Lectures at Domestic Conferences (Japan)

In Japan, Professor Kurita has been invited to speak at academic societies and technical committees including the JSPS Committee on Crystal Processing and Evaluation Technology, the Japan Society of Applied Physics, and the Japan Society of Vacuum and Surface Science. His invited lectures have addressed molecular cluster ion implantation, low‑temperature bonding, impurity control, and silicon wafer product design for high‑sensitivity CMOS image sensors.

A full list of publications and presentations is available upon request and will be updated regularly as new research results are published.

 

Professional output

Ⅰ.Research Achievements

 
(1) Peer-reviewed Journal
  1. Novel production concept of CH2F molecular-ion implanted Si epitaxial wafer
    for highly sensitive 3D-stacked CMOS image sensors

    Ryo Hirose, Takeshi Kadono, Sho Nagatomo, Koji Kobayashi, and Kazunari Kurita
    IEEE Journal of The Electron Device Society
    DOI 10.1109/JEDS.2025.3631002
     
  2. Metallic impurities gettering behavior of Hydrocarbon Molecular-Ion-Implanted Epitaxial Silicon Wafer during the pn-junction diode fabrication process
    Sho Nagatomo, Takeshi Kadono, Ryo Hirose, Koji Kobayashi, Shun Sasaki and Kazunari Kurita
    IEEE Journal of The Electron Device Society
    DOI 10.1109/JEDS.2025.3624795
     
  3. Fe gettering behavior in proximity gettering silicon epitaxial wafer using SiHx and C2Hy mixture molecular ion implantation

    Ryo Hirose, Ayumi Onaka-Masada, Takeshi Kadono, Ryosuke Okuyama, Koji Kobayashi, Akihiro Suzuki, Yoshihiro Koga, Kazunari Kurita
    MRS Advances, Volum10, pages 202-207,(2025)
    https://doi.org/10.1557/s43580-025-01160-8
     
  4. Recrystallization kinetics of fully amorphized C3H5-molecular-ion-implanted silicon substrate surface

     Koji Kobayashi1, 2 , Ryosuke Okuyama1, Takeshi Kadono1, 
    Ayumi Onaka-Masada1, Ryo Hirose1, Akihiro Suzuki1, Sho Nagatomo1, 
    Yoshihiro Koga1, Koji Sueoka3, and Kazunari Kurita1
    SUMCO Corporation, Imari, Saga, Japan1 
    Graduate School of System Engineering, Okayama Prefectural University, Soja, Okayama, Japan2 Department of Communication Engineering, Okayama Prefectural University, Soja, Okayama, Japan3

    MRS Advances, Volum, pages 179-183,(2025)
    https://doi.org/10.1557/s43580-024-01073-y
     
  5. Surface recrystallization model of fully amorphized C3H5-molecular-ion-implanted silicon substrate

    Koji Kobayashi1, Ryosuke Okuyama1, Takeshi Kadono1, Ayumi Onaka-Masada1, Ryo Hirose1, Sho Nagatomo1 ,Akihiro Suzuki1, Yoshihiro Koga1, Kazunari Kurita1, and Koji Sueoka2
    1SUMCO Corporation, 2Okayama Prefectural University

    Crystals 2024, 14, pages 748-768, (2024)
    https://doi.org/10.3390/cryst14090748
     
  6. Two- and three-dimensional recrystallization processes of discrete amorphous regions formed in C3H5-molecular-ion-implanted silicon substrate surface analyzed by TCAD kinetic Monte Carlo simulation

    Koji Kobayashi1, Ryosuke Okuyama1, Takeshi Kadono1, Ayumi Onaka-Masada1, Ryo Hirose1, Akihiro Suzuki1, Yoshihiro Koga1, Kazunari Kurita1, and Koji Sueoka2
    1SUMCO Corporation, 2Okayama Prefectural University

    ECS Journal of Solid State Science and Technology,2024,13(3),033004
    DOI: 10.1149/2162-8777/ad3002
    https://iopscience.iop.org/article/10.1149/2162-8777/ad3002
     
  7. Influence of carbon on Ni gettering in C2Hx+ and SiHy+ mixture molecular-ion implanted silicon epitaxial wafer
     
    Ryo Hirose, Ayumi Onaka-Masada, Ryosuke Okuyama, Takeshi Kadono, Koji Kobayashi, Akihiro Suzuki, Yoshihiro Koga, and Kazunari Kurita

    Materials Science in Semiconductor Processing, 2024, 174, 108226        
    https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108226
     
  8. Hydrogen termination effects on SiO2/Si interface state using CH3O-molecular ion implanted silicon epitaxial wafer for CMOS image sensor

    Ryosuke Okuyama, Takeshi Kadono, Ayumi Onaka-Masada, Akihiro Suzuki, Koji Kobayashi, Satoshi Shigematsu, Ryo Hirose, Yoshihiro Koga, and Kazunari Kurita

    ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2024, 13(1), 017005
    DOI 10.1149/2162-8777/ad1c88 
    https://iopscience.iop.org/article/10.1149/2162-8777/ad1c88/pdf
     
  9. TEM Image Analysis and Simulation Physics for Two-step Recrystallization of Discretely Amorphized C3H5-molecular-ion-implanted Silicon Substrate Surface

    Koji Kobayashi, Ryosuke Okuyama, Takeshi Kadono, Ayumi Onaka-Masada1, Ryo Hirose1, Akihiro Suzuki1, Yoshihiro Koga1, Kazunari Kurita1, and Koji Sueoka2
    1SUMCO Corporation, 2Okayama Prefectural University

    Crystals 2024, 14, 112, pages 112-127,(2004)
    https://doi.org/10.3390/cryst14020112
     
  10. Thermal Shrinkage Behavior of CH3O-Multielement-Molecular-Ion-Implantation-Induced Dislocation Loops Studied by Real-Time Transmission Electron Microscopy Observation

     Akihiro Suzuki, Takeshi Kadono, Ryo Hirose, Koji Kobayashi, Ayumi Onaka-Masada, Ryosuke Okuyama, Yoshihiro Koga, and Kazunari Kurita

    Journal of the Electrochemical Society, 2023, 170(4), 047512
    DOI 10.1149/1945-7111/accd25
    https://iopscience.iop.org/article/10.1149/1945-7111/accd25/pdf
     
  11. Recrystallization Model of Discrete Amorphous Regions in C3H5-Molecular-Ion Implanted Silicon Substrate Surface Analyzed by X-ray Photoelectron Spectroscopy

     Koji Kobayashi, Ryosuke Okuyama, Takeshi Kadono, Ayumi Onaka-Masada, Ryo Hirose, Akihiro Suzuki, Yoshihiro Koga, and Kazunari Kurita

    Japanese Journal of Applied Physics, 2022, 61(11), 115501
    https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac97d5
     
  12. Reduction of White Spot Defects in CMOS Image Sensors us-ing Epitaxial Silicon Wafer with Proximity Gettering Sinks by CH2P-molecular-ion implantation

    Takeshi Kadono 1, 2,*, Ryo Hirose 1, Ayumi Onaka-Masada 1, Koji Kobayashi 1, Akihiro Suzuki 1, Ryosuke Okuyama1, Yoshihiro Koga 1, Atsuhiko Fukuyama 2, and Kazunari Kurita 1 
    1SUMCO Corporation, 2 University of Miyazaki

    Sensors 2022, 22, 8258. 
    https://doi.org/10.3390/s22218258
     
  13. Dissociation Kinetics of Trapped Hydrogen in High-dose Hydrocarbon-Molecular-Ion-Implanted Region using Rapid Thermal Annealing

     Takeshi Kadono, Atsuhiko Fukuyama, Ryosuke Okuyama, Ryo Hirose, Kouji Kobayashi, Ayumi Onaka-Masada, Satoshi Shigematsu, Yoshihiro Koga, Hidehiko Okuda and Kazunari Kurita
     
    e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 20, pages 167–173 (2022) 
    DOI: 10.1380/ejssnt.2022-029 
    https://doi.org/10.1380/ejssnt.2022-029
     
  14. In Situ TEM Observation of Dissolution Behavior of End-of-Range Defect Formed in CH4N-Molecular-Ion-Implanted epitaxial Si Wafer

     Akihiro Suzuki, Takeshi Kadono, Ryo Hirose, Koji Kobayashi, Ayumi Onaka-Masada, Ryosuke Okuyama, Yoshihiro Koga, and Kazunari Kurita
    Journal of The Electrochemical Society, 2022 169 047521
    DOI 10.1149/1945-7111/ac63f4
    https://iopscience.iop.org/article/10.1149/1945-7111/ac63f4
     
  15. Laminated wafer with conductive diamond layer obtained by surface-activated bonding at room temperature for micro-electro mechanical system sensors
     Koga, Yoshihiro; Yamada, Shunsuke; Tanaka, Shuji; Kurita, Kazunari 

    Japanese Journal of Applied Physics, 2022, 61(SF), SF1007
    DOI 10.35848/1347-4065/ac6056
    https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac6056
     
  16. Hydrogen diffusion behavior in CH2P molecular ion implanted silicon wafers for CMOS image sensors
     Ryosuke Okuyama, Takeshi Kadono, Ayumi Onaka-Masada, Akihiro Suzuki, Koji Kobayashi, Satoshi Shigematsu, Ryo Hirose, Yoshihiro Koga, and Kazunari Kurita

    Materials Science in Semiconductor Processing 137 (2022) 106211
    https://doi.org/10.1016/j.mssp.2021.106211
     
  17. Silicon Wafer Gettering Design for Advanced CMOS Image Sensors 
    using Hydrocarbon Molecular Ion Implantation: A review
        Kazunari Kurita, Takeshi Kadono, Ryousuke Okuyama, Ryo Hirose,
     Ayumi Onaka-Masada, Satoshi Shigematsu, Hidehiko Okuda, Yoshihiko Koga

    IEEE Journal of the Electron Devices Society ; Volume 10, Pages 720 – 727.
    DOI: 10.1109/JEDS.2021.3135656
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9651517
     
  18. Proximity Gettering Design of Silicon Hydride Implanted Silicon Wafers using
    Molecular Ion Implantation Technique

     Hirose Ryo, Kadono Takeshi,  Okuyama Ryosuke ,Onaka-Masada, Ayumi, Shigematsu Satoshi, Kobayashi, Koji Koga Yoshihiro, Kazunari Kurita

    Materials Science in Semiconductor Processing 135 (2021) 106063
    https://doi.org/10.1016/j.mssp.2021.106063
     
  19. Room-temperature bonded silicon on insulator wafers with a dense buried oxide layer formed by annealing a deposited silicon oxidation layer and surface-activated bonding
     
    Yoshihiro Koga and Kazunari Kurita

    Japanese J. Appl. Phys. 60, 031007(2021) 
    DOI:10.35848/1347-4065/abe2b9 
    https://doi.org/10.35848/1347-4065/abe2b9
     
  20. Floating zone silicon wafer bonded on CZ Silicon substrate using surface activated bonding at room temperature for IR-CMOS image sensors

    Yoshihiro Koga and Kazunari Kurita

    Japanese J. Appl. Phys. 60, 015502(2021)
    DOI:10.35848/1347-4065/abcdb4 
    https://doi.org/10.35848/1347-4065/abcdb4
     
  21. Reduction of Dark Current in CMOS Image Sensor Pixels using Hydrocarbon-molecular-ion Implanted Double Epitaxial Si Wafers

     Ayumi Onaka-Masada, Takeshi Kadono, Ryosuke Okuyama, Ryo Hirose, Koji Kobayashi, Akihiro Suzuki, Yoshihiro Koga, and Kazunari Kurita

    Sensors 2020, 20(22), 6620. 
    https://doi.org/10.3390/s20226620
     
  22. Hydrogen Passivation for Reduction of SiO2/Si Interface State Density Using Hydrocarbon-Molecular-Ion-Implanted Silicon Wafers

     Ryosuke Okuyama, Ayumi Masada, Satoshi Shigematsu, Takeshi Kadono, Ryo Hirose,
    Yoshihiro Koga, and Kazunari Kurita

    Japanese J. Appl. Phys. 59, 125502(2020) 
    DOI:10.35848/1347-4065/abc3d8
    https://doi.org/10.35848/1347-4065/abc3d8
     
  23. Photoemission Spectroscopy Study on Hydrogen Termination Effect on SiO2/Si Structure Fabricated Using H+ -Implanted Si Substrate

     Akihiro Suzuki, Kazutoshi Takahashi, Ryosuke Okuyama, Takeshi Kadono, Koji Kobayashi, Ryo Hirose, Ayumi Onaka-Masada, Yoshihiro Koga, and Kazunari Kurita

    Journal of The Electrochemical Society of America 167, 127505(2020)
    https://doi.org/10.1149/1945-7111/abac85
     
  24. Influence of oxygen on copper gettering in hydrocarbon molecular ion implanted region using atom probe tomography
     S. Shigematsu, R. Okuyama, R. Hirose, K. Kadono, A. Onaka-Masada, A. Suzuki, 
    K. Kobayashi, H. Okuda, Y. Koga, and Kazunari Kurita

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B478(2020)99-103
    https://doi.org/10.1016/j.nimb.2020.05.017
     
  25. Fabrication of silicon on insulator wafer with silicon carbide insulator layer by surface-activated bonding at room temperature

     Yoshihiro Koga and Kazunari Kurita

    Japanese J. Appl. Phys. 59, 051002(2020)
    DOI:10.35848/1347-4065/ab82af
    https://doi.org/10.35848/1347-4065/ab82af
     
  26. Effect of hydrocarbon molecular ion size for amorphous region formation analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy

     Kadono, Takeshi; Okuyama, Ryosuke; Onaka-Masada, Ayumi; Hirose, Ryo; Shigematsu, Satoshi; Koga, Yoshihiro; Okuda, Hidehiko; Kurita, Kazunari

    Japanese. J. Appl. Phys. 59, 025510 (2020)
    DOI:10.35848/1347-4065/ab6ed5
    https://doi.org/10.35848/1347-4065/ab6ed5
     
  27. SOI wafer fabricated with extremely thick deposited BOX layer using surface activated bonding technique at room temperature

     Yoshihiro Koga and Kazunari Kurita

    Japanese J. Appl. Phys. 59 SBBB02(2020)
    DOI:10.7567/1347-4065/ab516e
    https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab516e
     
  28. SOI wafer fabricated with diamond BOX layer using surface activated bonding at room temperature
    Yoshihiro Koga and Kazunari Kurita

    Japanese J. Appl. Phys. 58,016505(2019)
    DOI:10.7567/1347-4065/aaea6d
    https://doi.org/10.7567/1347-4065/aaea6d
     
  29. Effect of ramping-up rate on end of range defect in multielement molecular-ion (CH3O)-implanted silicon wafer

     Hirose Ryo, Kadono, Takeshi,  Okuyama, Ryosuke ,Onaka-Masada, Ayumi, Shigematsu, Satoshi, Kobayashi, Koji,Koga, Yoshihiro, Kazunari Kurita

    Japanese J. Appl. Phys.58. 121002 (2019)
    DOI:10.7567/1347-4065/ab4fc9
    https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab4fc9
     
  30. Proximity gettering technique using CH3O multi-element molecular ion implantation for white spot defect density reduction in CMOS image sensor
     
    Hirose Ryo, Kadono Takeshi,  Okuyama Ryosuke ,Onaka-Masada, Ayumi, Shigematsu Satoshi, Kobayashi, Koji Koga Yoshihiro, Kazunari Kurita

    Japanese J. Appl. Phys.58.091002(2019)
    https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab358b
     
  31. Fundamental characteristics of cyanide-related multielement ion-implanted epitaxial Si wafers for high-performance CMOS image sensors

     Akihiro Suzuki, Ryosuke Okuyama, Ayumi Masada, Satoshi Shigematsu, Takeshi Kadono, Ryo Hirose, Yoshihiro Koga, and Kazunari Kurita
    Physica Status Solidi A(2019): Applications and Materials Science.
    https://doi.org/10.1002/pssa.201900172
     
  32. Molecular and atomic hydrogen diffusion behavior by reaction kinetic analysis in projection range of hydrocarbon molecular ion for CMOS image sensors

     Ryosuke Okuyama, Ayumi Masada, Satoshi Shigematsu, Takeshi Kadono, Ryo Hirose,
    Yoshihiro Koga, and Kazunari Kurita

    Physica Status Solidi A(2019): Applications and Materials Science.
    https://doi.org/10.1002/pssa.201900175
     
  33.  A Review of Proximity Gettering Technology for CMOS image sensors using Hydrocarbon Molecular Ion Implanted Silicon Wafers for CMOS Image Sensors

    Kazunari Kurita, Takeshi Kadono , Ryousuke Okuyama , 
    Ryo Hirose,Ayumi Onaka-Masada,Yoshihiro Koga and Hidehiko Okuda

    Sensors and Materials, Vol.31, No.6 (2019) pages 1939-1955.
    https://doi.org/10.18494/SAM.2019.2313
     
  34. Proximity Gettering Design of Silicon Wafers using Hydrocarbon Molecular Ion Implanted Silicon Wafers for CMOS Image Sensors

    Kazunari Kurita, Takeshi Kadono , Ryousuke Okuyama , Ryo Hirose,
    Ayumi Onaka-Masada,Yoshihiro Koga and Hidehiko Okuda

    Sensors 2019, 19(9), 2073.
    https://doi.org/10.3390/s19092073
     
  35. Gettering Sinks for Metallic Impurities Formed by Carbon-cluster Ion Implantation in Epitaxial Silicon Wafers for CMOS Image Sensor

     Ayumi Onaka-Masada, Toshiro Nakai, Ryosuke Okuyama, Hidehiko Okuda, Takeshi Kadono, Ryo Hirose, Yoshihiro Koga, Koji Sueoka and Kazunari Kurita

    IEEE Journal of the Electron Devices Society; Volume 6, Pages 1200 – 1206.
    DOI:10.110/JEDS.2018.2872976
    https://ieeexplore.ieee.org/document/8477004
     
  36. Proximity Gettering Design of Hydrocarbon Molecular Ion Implanted Silicon Wafers using Direct Bonding Technique for Advanced CMOS Image Sensors:
    A review
    “Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology, and Applications 15” 
    ECS Transactions, Volume 86, (5)77-93(2018).
    DOI:10.1149/08605.007ecst
    http://ecst.ecsdl.org/content/86/5/77.abstract?sid=745139f4-33b7-47cc-9e33-2e84696ad041
     
  37. Gettering mechanism in hydrocarbon-molecular ion-implanted epitaxial silicon wafers revealed by three-dimensional atom imaging

     Ayumi Onaka-Masada, Toshiro Nakai, Ryosuke Okuyama, Hidehiko Okuda, Takeshi Kadono, Ryo Hirose, Yoshihiro Koga, Koji Sueoka and Kazunari Kurita

    Japanese J. Appl. Phys.57.091302(2018)
    DOI:10.7567/JJAP.57.091302
    https://doi.org/10.7567/JJAP.57.091302
     
  38. Proximity gettering of silicon wafers using CH3O multi-element molecular-ion-implantation technique
     
    Ryo Hirose, Takeshi Kadono, Ryosuke Okuyama, Satoshi Shigematsu, Ayumi Onaka-Masada, Hidehiko Okuda, Yoshihiro Koga, and Kazunari Kurita

    Japanese J. Appl. Phys.57.096503(2018)
    DOI:10.7567/JJAP.57.096503
    https://doi.org/10.7567/JJAP.57.096503
     
  39. Diffusion kinetic of hydrogen in silicon wafer implanted with CH3O molecular ions for CMOS image sensors
    Ryosuke Okuyama, Ayumi Masada, Satoshi Shigematsu, Takeshi Kadono, Ryo Hirose,Yoshihiro Koga, Hidehiko Okuda, and Kazunari Kurita

    Japanese J. Appl. Phys.57.081302(2018)
    DOI:10.7567/JJAP.57.081302
    https://doi.org/10.7567/JJAP.57.081302
     
  40. Room-temperature bonding of epitaxial layer to carbon-cluster-ion-implanted silicon wafers for CMOS image sensors
     
    Yoshihiro Koga, Takeshi Kadono, Satoshi Shigemastu, Ryo Hirose, Ayumi Onaka-Masada, Ryousuke Okuyama, Hidehiko Okuda, Kazunari Kurita

    Japanese J. Appl. Phys. 57,061302(2018)
    DOI:10.7567/JJAP.57.061302
    https://doi.org/10.7567/JJAP.57.061302
     
  41. Effect of low oxygen concentration on iron gettering capability in carbon-cluster ion implanted Si wafer for CMOS image sensor

     Ayumi Onaka-Masada, Toshiro Nakai, Ryosuke Okuyama, Hidehiko Okuda, Takeshi Kadono, Ryo Hirose, Yoshihiro Koga, Kazunari Kurita, and Koji Sueoka

    Japanese J. Appl. Phys.57, 021304 (2018)
    DOI:10.7567/JJAP.57.021304
    https://doi.org/10.7567/JJAP.57.021304
     
  42. Effect of dose and size on defect engineering
    in carbon cluster implanted silicon wafers Silicon Wafers
     Ryousuke Okuyama , Ayumi Onaka-Masada , Takeshi Kadono , Ryo Hirose, 
    Yoshihiro Koga ,Hidehiko Okuda and Kazunari Kurita

    Japanese J. Appl. Phys. 57,011301(2018) 
    DOI: 10.75671/JJAP.57.011301
    https://doi.org/10.7567/JJAP.57.011301
     
  43. Trapping and diffusion behaviour of hydrogen simulated with TCAD in projection range of carbon-cluster implanted silicon epitaxial wafers for CMOS image sensors 

     Ryousuke Okuyama , Ayumi Onaka-Masada , Takeshi Kadono , Ryo Hirose, 
    Yoshihiro Koga ,Hidehiko Okuda and Kazunari Kurita

    Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics,1700036(2017)
    DOI: 10.1002/pssc.201700036
    https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/pssc.201700036
     
  44. Proximity gettering technology for advanced CMOS image sensors using carbon cluster ion-implantation technique: A review

        Kazunari Kurita, Takeshi Kadono , Ryousuke Okuyama , 
    Ryo Hirose,Ayumi Onaka-Masada,Yoshihiro Koga and Hidehiko Okuda
        
        Physica Status Solidi A ,1700216(2017)
    DOI: 10.1002/pssa.201700216
    https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/pssa.201700216
     
  45. Trapping and diffusion kinetic of hydrogen in carbon-cluster ion-implantation
    projected range in Czochralski silicon wafers

     Ryousuke Okuyama , Ayumi Onaka-Masada , Takeshi Kadono , Ryo Hirose, 
    Yoshihiro Koga ,Hidehiko Okuda and Kazunari Kurita

    Japanese J. Appl. Phys. 56(2017) 025601(6pp)
    DOI: 10.75671/JJAP.57.025601
    https://doi.org/10.7567/JJAP.56.025601
     
  46. Proximity Gettering of Carbon Cluster Ion Implanted Silicon Wafers for CMOS Image Sensors“ 
    - Gettering Effects of Transition Metal, Oxygen, and Hydrogen Impurities –

      Kazunari Kurita, Takeshi Kadono , Ryousuke Okuyama , 
    Ryo Hirose,Ayumi Onaka-Masada,Yoshihiro Koga and Hidehiko Okuda

    Japanese J. Appl. Phys. 55(2016) 121301(7pp)
    DOI: 10.7567/JJAP.55.121301
    https://doi.org/10.7567/JJAP.55.121301
     
  47. Low-temperature annealing behavior of iron-related deep levels in n-type silicon wafers 

     Ayumi Onaka-Masada, Takeshi Kadono, Noritomo Mitsugi and Kazunari Kurita

    Japanese J. Appl. Phys.55.021301(2016)
    DOI:10.7567/JJAP.55.021301
    https://doi.org/10.7567/JJAP.55.021301
     
  48. Low-temperature chemical vapor deposition of anatase TiO2 with titanium tetraisopropooxide and H2O2 vapor 

     Fumihiko Hirose1, Masashi Ito and Kazunari Kurita2.
    1 Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Yamagata University
    2 SUMCO Corporation

    Japanese Journal of Applied Physics, 2008, 47(7 PART 1), pages 5619–5622
    DOI:10.1143/JJAP.47.5619
    https://doi.org/10.1143/JJAP.47.5619
     
  49. Extremely proximity gettering for semiconductor devices

    Jea-G Park1, Gon.-Sub Lee1, Kazunari, Kurita2, Hisashi Furuya2
    1 Department of Electrical and Computer Engineering, National Nano SOI Process Lab., Hanyang University, Seoul, South Korea
    2 SUMCO Corporation

    Materials Science and Engineering: B Volume 134, Issue 2-3 SPEC. ISS., Pages 249 - 25615 October 2006
    DOI: 10.1016/j.mseb.2006.07.034
     
  50. Junction surface treatment for high-breakdown-voltage SiGe/Si diodes

     Fumihiko Hirose1, Yutaka Takahashi1 and Kazunari Kurita2.
    1 Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Yamagata University
    2 SUMCO Corporation

    Electrochemical and Solid-State Letters Volume 9, Issue 3, Pages G73-G76, 2006
    DOI: 10.1149/1.2159296
     
  51. Operation mechanism on SiGe/Si/Si PIN diodes explained using numerical simulation

    Fumihiko Hirose1, Kazunari Kurita2,Yutaka Takahashi1 and Masashi Mukaida1.
    1 Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Yamagata University
    2 SUMCO Corporation

    Electrochemical and Solid-State Letters Volume 8, Issue 7, Pages G160-G163, 2005
    DOI: 10.1149/1.2159296
     
  52. Room temperature annealing behavior of copper-related deep levels in p-type floating zone silicon wafers

    Kazunari Kurita and Takayuki Shingyouji

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review PapersVolume 40, Issue 3 A, Pages 1167 – 1171 March 2001
       DOI: 10.1143/jjap.40.1167
     
  53. Identification and quantification of transition metal impurities in czochralski silicon wafers using microwave photoconductive decay lifetime measurements

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review PapersVolume 37, Issue 11, Pages 5861 – 5865 November 1998
    DOI: 10.1143/jjap.37.5861
     
  54. Infrared spectroscopy study of initial stages of oxidation of hydrogen-terminated Si surfaces stored in air

    Michio Niwano1, Junichi Kageyama1, Koji Kinashi1, Kazunari Kurita2, Isao Takahashi1 and Nobuo Miyamoto1.
    1 Tohoku University
    2 Mitsubishi Materials Corporation

    Journal of Applied Physics Volume 76, Issue 4, Pages 2157-2163, 1994.
    DOI: 10.1063/1.357627
     
  55. Formation of hexafluorosilicate on Si surface treated in NH4F investigated by photoemission and surface infrared spectroscopy
     Michio Niwano1, Kazunari Kurita2, Takeda Yuki1 and Nobuo Miyamoto1.
    1 Tohoku University
    2 Mitsubishi Materials Corporation

    Applied Physics Letters Volume 62, Issue 9, Pages 1003-1005, 1993.
    DOI: 10.1063/1.108562
     
  56. Hydrogen termination of the NH4F-treated Si(111) surface studied by photoemission and surface infrared spectroscopy

    Michio Niwano, Takeda Yuki , Kazunari Kurita and Nobuo Miyamoto.
    Tohoku University

    Journal of Applied Physics Volume 72, Issue 6, Pages 2488-2491, 1992.
    DOI: 10.1063/1.351541
     
  57. Morphology of hydrofluoric acid and ammonium fluoride-treated silicon surfaces studied by surface infrared spectroscopy
    Michio Niwano, Kazunari Kurita , Takeda Yuki and Nobuo Miyamoto.
    Tohoku University

    Journal of Applied Physics Volume 71, Issue 11, Pages 5646-5649, 1992.
    DOI: 10.1063/1.350497
 
 
(2) International Conference Proceedings and papers
  1.   Metallic impurities gettering behavior of Hydrocarbon Molecular-Ion-Implanted Epitaxial Silicon Wafer during the pn-junction diode fabrication process
     
    Sho Nagatomo, Takeshi Kadono, Ryo Hirose, Koji Kobayashi, Shun Sasaki and Kazunari Kurita
    25th International Workshop on Junction Technology (IWJT2025)
    June 5 - 6, 2025 Kyoto Japan
     
  2. Development of CH2F molecular-ion implanted Si epitaxial wafer
    for highly sensitive CMOS image sensors
     
    Ryo Hirose, Takeshi Kadono, Sho Nagatomo, Koji Kobayashi, and Kazunari Kurita
    25th International Workshop on Junction Technology (IWJT2025)
    June 5 - 6, 2025 Kyoto Japan
     
  3. Impact of Cumulative Pulsed Laser Irradiation for Recrystallization of Amorphized C3H5-Molecular-Ion-Implanted Silicon Substrate Surface

     Koji Kobayashi, Ryosuke Okuyama, Takeshi Kadono, 
    Ayumi Onaka-Masada, Ryo Hirose, Akihiro Suzuki, Sho Nagatomo, 
    Yoshihiro Koga and Kazunari Kurita
    25th International Workshop on Junction Technology (IWJT2025)
    June 5 - 6, 2025 Kyoto Japan
     
  4. Proximity Gettering Design of Silicon Wafers using CH2P Molecular Ion Implantation Technique for High Sensitivity CMOS Image Sensors

    Takeshi Kadono, Ryosuke Okuyama, Ryo Hirose, Koji Kobayashi, Ayumi Masada, Akihiro Suzuki, Yoshihiro Koga, and Kazunari Kurita
    24th International Conference on Ion Implantation Technology 2024
    September 23 - 26, 2024, Toyama Japan
    https://smartconf.jp/content/iit2024/
     
  5. Recrystallization kinetics of fully amorphized C3H5-molecular-ion-implanted silicon substrate surface

    Koji Kobayashi1, 2 , Ryosuke Okuyama1, Takeshi Kadono1, 
    Ayumi Onaka-Masada1, Ryo Hirose1, Akihiro Suzuki1, Sho Nagatomo1, 
    Yoshihiro Koga1, Koji Sueoka3, and Kazunari Kurita1
    SUMCO Corporation, Imari, Saga, Japan1 
    Graduate School of System Engineering, Okayama Prefectural University, Soja, Okayama, Japan2 Department of Communication Engineering, Okayama Prefectural University, Soja, Okayama, Japan3

    24th International Conference on Ion Implantation Technology 2024
    September 23 - 26, 2024, Toyama Japan
    https://smartconf.jp/content/iit2024/
     
  6. Fe gettering behavior in proximity gettering silicon epitaxial wafer
    using SiHx and C2Hy mixture molecular ion implantation
     Ryo Hirose, Ayumi Onaka-Masada, Takeshi Kadono, Ryosuke Okuyama, Koji Kobayashi, Akihiro Suzuki, Yoshihiro Koga, Kazunari Kurita
    24th International Conference on Ion Implantation Technology 2024
    September 23 - 26, 2024, Toyama Japan
    https://smartconf.jp/content/iit2024/
     
  7. Kinetic Monte Carlo Simulations for Recrystallization Process of Discrete
    Amorphous Regions in C3H5-Molecular-Ion-Implanted Silicon Substrate Surface
     
    Koji Kobayashi1, 2, Ryosuke Okuyama1, Takeshi Kadono1, Ayumi Onaka-Masada1, Ryo Hirose1, Akihiro Suzuki1, Yoshihiro Koga1, Kazunari Kurita1, and Koji Sueoka2
    1 SUMCO Corporation, 2 Okayama Prefectual University
    21th International Workshop on Junction Technology (IWJT2023)
    June 8 - 9, 2023 Kyoto, Japan
    https://doi.org/10.23919/IWJT59028.2023.10175183
     
  8. Two-Stage Shrinkage Behavior of Multielement-Molecular-Ion-Implantation-
    Induced Dislocation Loops Revealed by Real-Time TEM Observation
     
    Akihiro Suzuki, Ryosuke Okuyama, Koji Kobayashi, Takeshi Kadono, Ayumi Onaka-Masada, Ryo Hirose, Yoshihiro Koga, and Kazunari Kurita

    21th International Workshop on Junction Technology (IWJT2023)
    June 8 - 9, 2023 Kyoto, Japan
    https://doi.org/10.23919/IWJT59028.2023.10175104
     
  9. Hydrogen Termination Effect on SiO2/Si Interface State Defects of Silicon Hydride and Hydrocarbon Hybrid-Molecular-Ion-Implanted Silicon Epitaxial Wafer
     
    Ryosuke Okuyama, Takeshi Kadono, Ayumi Masada, Akihiro Suzuki,
    Koji Kobayashi, Ryo Hirose, Yoshihiro Koga, and Kazunari Kurita
    21th International Workshop on Junction Technology (IWJT2023)
    June 8 - 9, 2023 Kyoto, Japan
    https://doi.org/10.23919/IWJT59028.2023.10175180
     
  10. Hydrogen diffusion behavior of CH4N-molecular-ion-implanted wafers
    for 3D stacked CMOS image sensors

     Ryosuke Okuyama,Takeshi Kadono, Ayumi Masada,Akihiro Suzuki,Koji Kobayashi, Satoshi Shigematsu,Ryo Hirose,Yoshihiro Koga, and Kazunari Kurita

    THE 29th INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING December 12-13, 2022 (in conjunction with SEMICON Japan 2022)
    https://issm.semiconportal.net/wp-content/uploads/ISSM2022-ProgramSchedule1104.pdf
     
  11. Reduction of White Spot Defects in CMOS Image Sensors Using CH2P-Molecular-Ion-Implanted Epitaxial Silicon Wafers

     Takeshi Kadono1, 2*, Ryosuke Okuyama1, Ryo Hirose1, Koji Kobayashi1, Ayumi Masada1, Akihiro Suzuki1, Yoshihiro Koga1, Atsuhiko Fukuyama2, and Kazunari Kurita1
    1SUMCO Corporation, 
    2 Faculity of Engineering, Univ. of Miyazaki.

    IEEE-EDTM (Electron Devices Technology and Manufacturing Conference),2022IEEE
    March 3, 2022, Ohita, Japan. 
     
  12. Dissociation Kinetics of Trapped Hydrogen in High-dose Hydrocarbon Molecular-Ion-Implanted Region during Rapid Thermal Annealing

    Takeshi Kadono1, 2*, Ryosuke Okuyama1, Ryo Hirose1, Koji Kobayashi1, Ayumi Masada1, Akihiro Suzuki1, Yoshihiro Koga1, Atsuhiko Fukuyama2, and Kazunari Kurita1
    1SUMCO Corporation, 
    2 Faculity of Engineering, Univ. of Miyazaki.

    The 9th International Symposium on Surface Science ~Toward Sustainable Development~
    November 28 to December 2, 2021, Takamatsu, Japan, 01PS-19
     
  13. Laminated wafer with the conductive diamond layer using surface activated bonding at room temperature for micro-electro mechanical systems sensors

     Yoshihiro Koga1,2, Shunsuke Yamada1, Shuji Tanaka1 and Kazunari Kurita2
    1 Department of Robotics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai, Japan
    2 SUMCO Corporation, 1-52 Kubara, Yamashiro-cho, Imari-shi, Saga 849-4256, Japan

    2021 7th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration" (LTB-3D 2021) Oct. 4-8, 2021, Nara, Japan.
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9598418
     
  14. Silicon Wafer Gettering Design for Advanced CMOS Image Sensors 
    using Hydrocarbon Molecular Ion Implantation: A review

    Kazunari Kurita, Takeshi Kadono, Ryousuke Okuyama, Ryo Hirose,
     Ayumi Onaka-Masada, Satoshi Shigematsu, Hidehiko Okuda, Yoshihiko Koga

    20th International Workshop on Junction Technology (IWJT2021)
    June 10 - 11, 2021 Kyoto Japan
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9609378
     
  15. Influence of oxygen on copper gettering in hydrocarbon molecular ion implanted region using atom probe tomography

     S. Shigematsu, R. Okuyama, R. Hirose, K. Kadono, A. Onaka-Masada, A. Suzuki, 
    K. Kobayashi, H. Okuda, Y. Koga, and Kazunari Kurita

    23rd International Workshop on Inelastic Ion-Surface Collisions (IISC-23) 
    17-22 November 2019, Matsue, Japan
    https://www.nims.go.jp/iisc23/r8hp8j0000000165-att/f4gq7900000007qz.pdf
     
  16. The effect of proximity gettering technology using CH3O molecular ion implantation on CMOS image sensor fabrication process

     R. Hirose, T. Kadono, R. Okuyama, A. Onaka-Masada, S. Shigematsu, K. Kobayashi, Y. Koga and Kazunari Kurita

    22nd International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry – SIMS-22, October 20 to 25, 2019, Kyoto, Japan.
    http://siss-sims.com/sims22/wp-content/uploads/2019/09/Program-detail-through-the-conference-tentative20190909.pdf
     
  17. Proximity Gettering Design of Si Wafers for Advanced CMOS Image Sensors using CH4N Multi-element Molecular Ion Implantation Technique
     
    A. Suzuki, T. Kadono, R. Hirose, R. Okuyama, A. Masada, S. Shigematsu, K. Kobayashi, Y. Koga, Kazunari Kurita
     
    GADEST2019: Gettering and Defects Engineering in Semiconductor Technology, September 22 to 27, 2019, Zeuthen, Germany.
    https://www.gadest2019.org/
     
  18. Reaction kinetic analysis of hydrogen diffusion behaviour in hydrocarbon molecule ion implanted silicon wafers for advanced CMOS image sensors”
     R. Okuyama, A. Onaka-Masada, A. Suzuki, K. Kobayashi, S. Shigematsu, R. Hirose, T. Kadono, Y. Koga, Kazunari Kurita
     
    GADEST2019: Gettering and Defects Engineering in Semiconductor Technology, September 22 to 27, 2019, Zeuthen, Germany.
    https://www.gadest2019.org/
     
  19. SOI wafer fabricated with extra thick deposited BOX layer using surface activated bonding at room temperature for customized power devices
    Yoshihiro Koga and Kazunari Kurita

    2019 6th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration" (LTB-3D 2019) May. 21-25, 2019, Kanazawa, JAPAN.
    Technical Digests page. 17-19.
    https://ieeexplore.ieee.org/document/8735178
     
  20. Room Temperature Bonding SOI Wafer with Diamond BOX Layer

     Yoshihiro Koga and Kazunari Kurita

    The 8th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 (Okayama)
    Nov. 18-21, 2018, Okayama, Japan
    http://www.ec.okayama-u.ac.jp/~dm/siforum/
     
  21. Segregation behavior of impurities around CH3O molecular ion implantation-related defects
     
    Satoshi Shigematsu, Ryosuke Okuyama, Koji Kobayashi , Ryo Hirose1, Ayumi. Onaka-Masada, Takeshi Kadono, Yoshihiro Koga, Hidehiko Okuda, Kazunari Kurita

    The 8th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 (Okayama)
    Nov. 18-21, 2018, Okayama, Japan
    http://www.ec.okayama-u.ac.jp/~dm/siforum/
     
  22. High-dose hydrocarbon-molecular-ion-implanted epitaxial silicon wafer using flash lamp annealing

     Koji Kobayashi, Ryosuke Okuyama, Takeshi Kadono, Ayumi Onaka-Masada, Ryo Hirose, Satoshi Shigematsu, Akihiro Suzuki, Yoshihiro Koga, Kazunari Kurita

    The 8th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 (Okayama)
    Nov. 18-21, 2018, Okayama, Japan
    http://www.ec.okayama-u.ac.jp/~dm/siforum/
     
  23. Diffusion behavior of hydrogen in molecular ion implanted silicon epitaxial wafers for advanced CMOS image sensor
     
    Ryosuke Okuyama, Ayumi Onaka-Masada, Koji Kobayashi, Satoshi Shigematsu, Takeshi Kadono, Ryo Hirose, Yoshihiro Koga, Hidehiko Okuda, and Kazunari Kurita

    The 8th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 (Okayama)
    Nov. 18-21, 2018, Okayama, Japan
    http://www.ec.okayama-u.ac.jp/~dm/siforum/
     
  24. Development of CH3O molecular ion implanted silicon epitaxial wafer for CMOS Image sensor
     
    Ryo Hirose, Ryosuke Okuyama, Takeshi Kadono, Ayumi Masada, Kouji Kobayashi, Satoshi Shigematsu, Yoshihiro Koga and Kazunari Kurita

    The 8th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 (Okayama)
    Nov. 18-21, 2018, Okayama, Japan
    http://www.ec.okayama-u.ac.jp/~dm/siforum/
     
  25. Impurity gettering mechanism in hydrocarbon-molecular-ion implanted epitaxial silicon wafers for CMOS image sensor
     Ayumi Onaka-Masada, Ryosuke Okuyama, Satoshi Shigematsu, Hidehiko Okuda, Takeshi Kadono, Ryo Hirose, Yoshihiro Koga, Koji Sueoka, and Kazunari Kurita

    The 8th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 (Okayama)
    Nov. 18-21, 2018, Okayama, Japan
    http://www.ec.okayama-u.ac.jp/~dm/siforum/
     
  26. Gettering Behavior of Copper in Hydrocarbon Molecular Ion Implanted Silicon Wafers for CMOS Image Sensors Revealed by Atom Probe Tomography

     S. Shigematsu, R. Okuyama, A. Masada, T. Kadono, R. Hirose, Y. Koga, H. Okuda, Kazunari Kurita
     
    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) ,  23p-113, October 21-25, 2018 Sendai, Miyagi, Japan
    https://www.gakkai-web.net/gakkai/acsin14/program/poster-session.html#S-P23
     
  27. Proximity Gettering Design of Hydrocarbon Molecular Ion Implanted Silicon Wafers using Direct Bonding Technique for Advanced CMOS Image Sensors

     Kazunari Kurita, Yoshihiro Koga, Ryousuke Okuyama ,Takeshi Kadono, Satoshi Shigematsu, Ayumi Onaka-Masad, Ryo Hirose and Hidehiko Okuda
     
    2018 ECS and SMEQ Joint International Meeting
    September 30 – October 4, 2018 Cancun Mexico
    Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology, and Applications 15 
    https://ecs.confex.com/ecs/aimes2018/meetingapp.cgi/Paper/114349
     
  28. Proximity Gettering Design of Silicon Wafers using Hydrocarbon Molecular Ion Implantation Technique for Advanced CMOS Image Sensors

     Kazunari Kurita, Takeshi Kadono, Ryousuke Okuyama, Ryo Hirose,
     Ayumi Onaka-Masada, Satoshi Shigematsu, Hidehiko Okuda, Yoshihiko Koga

    22nd International Conference on Ion Implantation Technology
    September 16 - 21, 2018 Congress Centrum Würzburg
    DOI:10.1109/IIT.2018.8807907
     
  29. Re-crystallization Behavior of Amorphous Layer in Hydrocarbon Molecular Ion Implanted Region Using Flash Lamp Annealing

     Kobayashi Kouji, Ryousuke Okuyama, Takeshi Kadono,Ryo Hirose,
     Ayumi Onaka-Masada, Satoshi Shigematsu, Yoshihiko Koga, Kazunari Kurita

    22nd International Conference on Ion Implantation Technology
    September 16 - 21, 2018 Congress Centrum Würzburg
    DOI:10.1109/IIT.2018.8807961
     
  30. Segregation Behavior around CH3O Molecular Ion Implantation Related Extended Defects for CMOS Image Sensors

     S. Shigematsu, R. Okuyama, A. Masada, T. Kadono, R. Hirose, Y. Koga, H. Okuda, Kazunari Kurita

    The Scientific International Symposium on SIMS and Related Techniques Based on Ion-Solid Interactions(2018)
     
  31. Gettering Mechanism in Carbon-cluster-ion-implanted Epitaxial Silicon Wafers using Atom Probe Tomography

     Ayumi Onaka-Masada* ,Ryousuke Okuyama, Takeshi Kadono, Ryo Hirose, 
    Satoshi Shigematsu, Hidehiko Okuda, Yoshihiko Koga, Kazunari Kurita

    IEEE-EDTM (Electron Devices Technology and Manufacturing Conference),2018 IEEE, March 13. 2018, Kobe, Japan. Page 166-168
    DOI: 10.1109/EDTM.2018.8421426

    https://ieeexplore.ieee.org/document/8421426
     
  32. Trapping and diffusion behaviour of hydrogen simulated with TCAD in projection range of carbon-cluster implanted silicon epitaxial wafers for CMOS image sensors

     Ryousuke Okuyama , Ayumi Onaka-Masada , Takeshi Kadono , Ryo Hirose, 
    Yoshihiro Koga ,Hidehiko Okuda and Kazunari Kurita 

    GADEST2017: Gettering and Defects Engineering in Semiconductor Technology, Lopata Resort, Georgia.Oct01-06,2017.
     
  33. Proximity Gettering Technology for Advanced CMOS Image Sensors
     Using Carbon Cluster Ion Implantation Technique
     
    Kazunari Kurita, Takeshi Kadono, Ryousuke Okuyama, Ryo Hirose,
     Ayumi Onaka-Masada, Satoshi Shigematsu, Hidehiko Okuda, Yoshihiko Koga
     
    GADEST2017: Gettering and Defects Engineering in Semiconductor Technology,
    Lopata Resort, Georgia.Oct01-06,2017.
     
  34. Development study of Silicon Epitaxial Wafer for CMOS image sensors by using multi-element molecular cluster ion implantation

     Ryo Hirose, Takeshi Kadono, Ryosuke Okuyama, Satoshi Shigematsu, Ayumi Masada, Hidehiko Okuda , Yasuyuki Koga, Kazunari Kurita 

    ICDS 2017:29th International Conference on Defect in Semiconductor,
    July31-Auguest4,2017,Matsue,Japan.
     
  35. “Proximity Gettering Technology for Advanced CMOS Image Sensors
     Using Carbon Cluster Ion Implantation Technique”

    Kazunari Kurita, Takeshi Kadono, Ryousuke Okuyama, Ryo Hirose,
     Ayumi Onaka-Masada, Satoshi Shigematsu, Hidehiko Okuda, Yoshihiko Koga

    ICDS 2017:29th International Conference on Defect in Semiconductor,
    July31-Auguest4,2017,Matsue,Japan.
     
  36. Oxygen Gettering Mechanism of Carbon Cluster Ion-Implanted 
    Silicon Wafers for CMOS Image Sensors revealed by Three-Dimensional Laser-Assisted Atom Probe Tomography

     S. Shigematsu, R. Okuyama, R. Hirose, A. Masada, T. Kadono, Y. Koga, H. Okuda, Kazunari Kurita

    The Scientific International Symposium on SIMS and Related Techniques Based on Ion-Solid Interactions(2017)
     
  37. Impact of Hydrogen Annealing Behavior of C3H5 Carbon Cluster Ion Implanted Projection Range using Microwave heat treatment

     Takeshi Kadono, Ryousuke Okuyama, Ryo Hirose ,Ayumi Onaka-Masada, Satoshi Shigematsu, Hidehiko Okuda, Yoshihiko Koga, Kazunari Kurita

    IEEE-EDTM (Electron Devices Technology and Manufacturing)2017
    February. 28, -March 2, 2017, Toyama, Japan.
    DOI:10.1109/EDTM.2017.7947506
     
  38. Proximity Gettering Technology for Advanced CMOS Image Sensors
     Using Carbon Cluster Ion Implantation Technique

    Kazunari Kurita, Takeshi Kadono, Ryousuke Okuyama, Ryo Hirose,
     Ayumi Onaka-Masada, Satoshi Shigematsu, Hidehiko Okuda, Yoshihiko Koga

    IEEE-EDTM (Electron Devices Technology and Manufacturing Conference),
    2017 IEEE
    February. 28, -March 2, 2017, Toyama, Japan. Page 105-106
    DOI:10.1109/EDTM.2017.7947538
     
  39. “Proximity Gettering Technology for CMOS Image Sensors
     Using a Carbon Cluster Ion Implantation”

    Kazunari Kurita, Takeshi Kadono, Ryousuke Okuyama, Ryo Hirose,
     Ayumi Onaka-Masada, Satoshi Shigematsu, Hidehiko Okuda, Yoshihiko Koga

    The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (JSPS Si Symposium), Nov. 21-25, 2016, Kona, Hawaii, USA
     
  40. Low-temperature Annealing Behavior of Iron-related Deep Levels in 
    n-type Silicon Wafers
     
    Ayumi Onaka-Masada, Takeshi Kadono, Noritomo Mitsugi, Kazunari Kurita

    The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
    (JSPS Si Symposium), Nov. 21-25, 2016, Kona, Hawaii, USA
     
  41. “Proximity Gettering Technology for Advanced CMOS Image Sensors
     Using Carbon Cluster Ion Implantation”

     Kazunari Kurita, Takeshi Kadono, Ryousuke Okuyama, Ryo Hirose,
     Ayumi Onaka-Masada, Satoshi Shigematsu, Hidehiko Okuda, Yoshihiko Koga

    NINTH INTERNATIONAL MEETING ON RECENT DEVELOPMENTS IN THE STUDY OF RADIATION EFFECTS IN MATTER
     Oct. 26-28, 2016, Kyoto, Japan.

    http://www.uknibc.co.uk/REM9/Programme.html
     
  42. Characteristics of Carbon Cluster Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers
    - Development study of multi-elements molecular ion implantation technique -
     
    Ryo Hirose*1), Ryosuke Okuyama1) and Takeshi Kadono1), Ayumi Onaka-Masada1),
    Hidehiko Okuda1), Yoshihiro Koga1), Kazunari Kurita1), Naoki Miyamoto2)
    1) SUMCO CORPORATION 1-52 Kubara, Yamashiro-cho, Imari-shi, Saga, 849-4256, Japan,
    2) Nissin Ion Equipment Co. LTD.，Minami-ku, Kyoto, 601-8205 Japan,

    21th International Conference on Ion Implantation Technology (NCK University, Taiwan, 2016/9/22)
     
  43. Gettering Ability of Carbon Cluster Ion Implanted Epitaxial Silicon
    Wafers for Metal Impurities Contaminated Device Fabrication Process
     R. Okuyama, A. Masada, T. Kadono, R. Hirose, Y. Koga, H. Okuda, Kazunari Kurita

    The Scientific International Symposium on SIMS and Related Techniques Based on Ion-Solid Interactions(2016)
     
  44. Dependence of crystal nature on the gettering efficiency of iron and nickel in a Czochralski silicon wafer

    Jea-G Park1, Kazunari, Kurita2 ,Gon.-Sub Lee1, Shin, Seung-A1
     ,Hisashi Furuya2
    1 Department of Electrical and Computer Engineering, National Nano SOI Process Lab., Hanyang University, Seoul, 133-791, 17 Haengdang-dong, Seongdong-gu, South Korea
    2 SUMCO Corporation
    Microelectronic EngineeringVolume 66, Issue 1-4, Pages 247 - 257April 2003 IUMRS-ICEM 2002, 10 June 2002 through 14 June 2002 Code 60934
    DOI: 10.1016/S0167-9317(02)00916-4
 
 
(3) Review paper
  1. 光電子分光法によるSiO2/Si界面準位欠陥の消滅に伴う歪状態変化の解析

    鈴木陽洋1，高橋和敏2，奥山亮輔1，門野武1，小林弘治1，廣瀬諒1，柾田亜由美1，古賀祥泰1，栗田一成1
    1株式会社SUMCO,2佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
    公益財団法人九州シンクロトロン光研究センター年報2022、ページ8～10、2022年4月1日（令和４年4月1日）
    https://www.saga-ls.jp/main/3337.html#gsc.tab=0
     
  2. クラスターイオン注入によるCMOSセンサのゲッタリング技術”
      Gettering technology for CMOS image sensors using a cluster ion implantation
      
    栗田一成

    表面科学 第37巻 第3号 2016年3月,page 104-109. 
    Journal of The Surface Science Society of Japan 
     HYOMEN KAGAKU Volume 37 Number 3 March 2016
    https://doi.org/10.1380/jsssj.37.104
    （平成28年3月1日）
     
  3. シリコンウェーハのゲッタリング技術の進展

    栗田一成

    応用物理学会誌 第84巻 第7号（通巻９７６号）2015年, page 628-633.
    https://doi.org/10.11470/oubutsu.84.7_628
    （平成27年7月1日）
 
 
(4) Invited lecture
  1. クラスターイオン注入による近接ゲッタリング技術
    栗田一成
    日本学術振興会「結晶加工と評価技術」145委員会第177回研究会、研究会資料ページ9～12、2022年12月22日（令和4年12月22日）
     
  2. 高感度CMOSイメージセンサ向けSiウェーハの製品設計開発
    ～光電子分光法のSiウェーハ製品開発への応用～
    栗田一成
    公益財団法人九州シンクロトロン光研究センター研究成果報告会、資料ページ2、2020年10月21日（令和2年10月21日）
    http://www.saga-ls.jp/site_files/file/what's%20New/20201021_koukai/poster3.pdf
     
  3. 分子クラスターイオン注入による高感度CMOSイメージセンサの近接ゲッタリング技術
    ～常温接合と分子クラスターイオン注入技術の融合によるシリコンウェーハ製品設計～
     栗田一成
    日本学術振興会「接合界面創成技術」191委員会 第15回研究会、2018年3月23日
    （平成30年3月23日）
     
  4. クラスターイオン注入によるCMOSセンサの近接ゲッタリング技術
    栗田一成
    公益社団法人 応用物理学会 第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    シンポジウム：S.19 シリコン結晶における不純物制御の科学 
    ～ゲッタリングが描くウェーハの未来像～
    [5p-A204-8] 2017年9月5日（平成29年9月5日）
     
  5. クラスターイオン注入によるCMOSセンサの近接ゲッタリング技術
    栗田一成
    公益社団法人 日本表面科学会 第37回 表面科学学術講演会
    ＜技術賞受賞招待講演＞ [1Dp05] 2017年8月18日（平成29年8月18日）
    https://doi.org/10.14886/sssj2008.37.0_53
     
  6. クラスターイオン注入による近接ゲッタリング技術
     栗田一成
    日本学術振興会「結晶加工と評価技術」145委員会第153回研究会、研究会資料ページ18～19、2017年7月21日（平成29年7月21日）
     
  7. Siウェーハの常温接合とクラスターイオン注入による近接ゲッタリング技術
     栗田一成
    第5回パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会
    日本学術振興会「結晶加工と評価技術」145委員会第145回研究会、研究会資料ページ95～99、2017年2月12日（平成29年2月21日）
     
  8. 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング技術
    －CMOSイメージセンサのデバイス特性にクラスター照射が与える効果－
     栗田一成
    日本学術振興会「結晶加工と評価技術」145委員会第145回研究会、研究会資料ページ14～18、2015年10月2日（平成27年10月2日）
 
 
(5) Domestic Conference
  1. 廣瀬 諒 , 門野 武 ,小林 弘治 , 永友翔 , 栗田 一成
    “フッ素系多元素・分子イオン注入シリコンエピタキシャルウェーハの開発(II)”
    2025年第85回応用物理学会秋季学術講演会：14a-K306-2, 2025年9月
     
  2. 廣瀬 諒 , 門野 武 ,小林 弘治 , 永友翔 , 栗田 一成
    “フッ素系多元素・分子イオン注入シリコンエピタキシャルウェーハの開発”
    2025年春季第72応用物理学会関連連合講演会：14a-K306-2, 2025年3月
     
  3. 永友翔, 門野 武，小林 弘治，廣瀬 諒,佐々木 駿,栗田 一成
    “炭化水素分子イオン注入エピタキシャルSiウェーハのpn接合ダイオード作製工程間の重金属ゲッタリング挙動”
    2025年春季第72応用物理学会関連連合講演会：14a-K306-1, 2025年3月
     
  4. 廣瀬 諒 , 柾田 亜由美 , 門野 武 , 奥山 亮輔 , 小林 弘治 , 鈴木 陽洋 ,
    永友翔 , 古賀 祥泰 , 栗田 一成
    “Si系分子イオン注入エピタキシャルウェーハのFeゲッタリング挙動(2)”
    2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会：16a-B-1-9, 2024年9月
     
  5. 廣瀬 諒 , 柾田 亜由美 , 門野 武 , 奥山 亮輔 , 小林 弘治 , 鈴木 陽洋 ,
    永友翔 , 古賀 祥泰 , 栗田 一成
    ”Si系分子イオン注入 Siエピタキシャル ウェーハの Feゲッタリング挙動”
    2024年春季第71応用物理学会関連連合講演会：24a-12F-9, 2024年3月
     
  6. 鈴木 陽洋1, 奥山 亮輔1, 小林 弘治1, 門野 武1, 柾田 亜由美1, 廣瀬 諒1, 古賀 祥泰1,高橋 和敏2, 栗田 一成1
    ”SiO2/Si 界面における歪状態変化に対する水素の影響”
    1 株式会社SUMCO，2 佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
    2024年春季第71応用物理学会関連連合講演会：24a-12F-10, 2024年3月
     
  7. 小林 弘治 1, 2, 奥山 亮輔 1, 門野 武 1, 柾田 亜由美 1, 廣瀬 諒 1, 鈴木 陽洋 1,古賀祥泰 1, 末岡 浩治 3, 栗田 一成 1
     1株式会社 SUMCO, 2岡山県大院情報系 工 , 3岡山県大情報工
    ” 炭化水素分子イオン注入 Siウェーハ表面のアモルファス形態に対する再結晶化モデル解析“
    2024年春季第71応用物理学会関連連合講演会：24a-12F-11, 2024年3月
     
  8. 奥山 亮輔, 門野 武，柾田 亜由美, 鈴木 陽洋, 小林 弘治, 重松 理史, 廣瀬 諒, 古賀 祥泰, 栗田 一成
    “シリコン・炭素系混合分子イオン注入エピタキシャルウェーハの水素パッシベーションによるSiO2/Si界面準位密度低減効果の解析“
    2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 19p-B201-1, 2023年9月
     
  9. 小林 弘治 1, 2, 奥山 亮輔 1, 門野 武 1, 柾田 亜由美 1, 廣瀬 諒 1, 鈴木 陽洋 1,古賀祥泰 1, 末岡 浩治 3, 栗田 一成 1
     1株式会社 SUMCO, 2岡山県大院情報系 工 , 3岡山県大情報工
    “炭化水素分子イオン注入シリコンウェーハ表面における離散的アモルファス領域の再結晶化初期過程に関する解析“
    2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 19p-B201-2, 2023年9月
     
  10. 廣瀬 諒, 柾田 亜由美, 奥山 亮輔, 門野 武, 小林 弘治, 鈴木 陽洋,古賀 祥泰, 栗田 一成
    “シリコン・炭素系混合分子イオン注入エピウェーハのゲッタリングメカニズム解析“
    2023年春季第70応用物理学会関連連合講演会15a-D511-8, 2023年3月
     
  11. 鈴木 陽洋, 奥山 亮輔, 門野 武, 小林 弘治, 廣瀬 諒, 柾田 亜由美,古賀 祥泰, 栗田 一成
    “シリコン・炭素系混合分子イオン注入誘起拡張欠陥の形態と熱処理挙動”
    2023年春季第70応用物理学会関連連合講演会 15a-D511-9, 2023年3月
     
  12. 奥山 亮輔, 門野 武，柾田 亜由美, 鈴木 陽洋, 小林 弘治, 重松 理史, 廣瀬 諒, 古賀 祥泰, 栗田 一成
    “シリコン・炭素系混合分子イオン注入エピタキシャルウェーハのSiO2/Si 界面準位欠陥に対するパッシベーション効果の解析“
    2023年春季第70応用物理学会関連連合講演会 15a-D511-10, 2023年3月
     
  13. 小林 弘治, 奥山 亮輔, 門野 武, 柾田 亜由美, 廣瀬 諒, 鈴木 陽洋,古賀 祥泰, 栗田 一成
    “炭化水素分子イオン注入ウェーハ表面における再結晶化挙動のTCADシミュレーション解析”
    2023年春季第70応用物理学会関連連合講演会 15a-D511-11, 2023年3月
     
  14. 奥山 亮輔, 柾田 亜由美, 鈴木 陽洋, 小林 弘治, 重松 理史, 廣瀬 諒, 門野 武, 古賀 祥泰, 栗田 一成
    “3次元積層型CMOSイメージセンサ向けCH4N分子イオン注入エピタキシャルシリコンウェーハの水素拡散挙動”
    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 20p-C202-5, 2022年9月
     
  15. 奥山 亮輔, 柾田 亜由美, 鈴木 陽洋, 小林 弘治, 重松 理史, 廣瀬 諒, 門野 武, 古賀 祥泰, 栗田 一成
    “3次元積層型CMOSイメージセンサ向けSiウェーハの製品設計（I）
    -CH3O分子イオン注入ウェーハによるSiO2/Si界面準位欠陥の低減-“
    2022年春季第69応用物理学会関連連合講演会 26p-E104-5, 2022年3月
     
  16. 鈴木 陽洋, 門野 武, 廣瀬 諒, 小林 弘治, 柾田 亜由美, 奥山 亮輔,古賀 祥泰, 栗田 一成
    ” 3次元積層型CMOSイメージセンサ向けSiウェーハの製品設計（Ⅱ）
    –SiO2/Si界面準位欠陥の消滅に伴う歪み状態変化の光電子分光分析–“
    2022年春季第69応用物理学会関連連合講演会 26p-E104-6, 2022年3月
     
  17. 小林 弘治, 奥山 亮輔, 門野 武, 廣瀬 諒, 鈴木 陽洋, 柾田 亜由美, 古賀 祥泰, 栗田 一成
    ” 3次元積層型CMOSイメージセンサ向けSiウェーハの製品設計（Ⅲ）
    –X線光電子分光法を用いた炭化水素分子イオン注入Siウェーハ表面における結晶性回復挙動解析–“
    2022年春季第69応用物理学会関連連合講演会 26p-E104-7, 2022年3月
     
  18. 廣瀬 諒, 門野 武, 柾田 亜由美, 奥山 亮輔, 小林 弘治, 鈴木 陽洋,古賀 祥泰, 栗田 一成
     “3次元積層型CMOSイメージセンサ向けSiウェーハの製品設計（Ⅳ）
    –Si系分子イオン注入において炭素がゲッタリング能力に与える影響–“
    2022年春季第69応用物理学会関連連合講演会 26p-E104-8, 2022年3月
     
  19. 奥山 亮輔, 柾田 亜由美, 鈴木 陽洋, 小林 弘治, 重松 理史, 廣瀬 諒, 門野 武, 古賀 祥泰, 栗田 一成
    “3次元積層型CIS向け多元素分子イオン注入エピウェーハの特性（I）
    CH2P注入エピウェーハの注入レンジにおける水素脱離挙動の理論解析”
    2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 10p-N203-4, 2021年9月
     
  20. 門野 武1，2，福山 敦彦2，廣瀬 諒1，柾田 亜由美1，鈴木 陽洋1，小林 弘治1，奥山 亮輔1 , 古賀 祥泰1, 栗田 一成1
    株式会社 SUMCO1，宮崎大工2
     “3次元積層型CIS向け多元素イオン注入エピウェーハの特性(Ⅱ)
    - CH2P イオン注入による白キズ欠陥抑制のメカニズム解析-”
    2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 10p-N203-5, 2021年9月
     
  21. 鈴木 陽洋, 廣瀬 諒, 門野 武, 小林 弘治, 柾田 亜由美, 奥山 亮輔, 古賀 祥泰, 栗田 一成
    “多元素分子イオン注入誘起欠陥の熱的挙動の加熱TEMその場観察
    –CH3O イオン注入誘起EOR 欠陥の熱的分解挙動の反応速度論的解析–”
    2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 10p-N203-6, 2021年9月
     
  22. 奥山 亮輔, 柾田 亜由美, 鈴木 陽洋, 小林 弘治, 重松 理史, 廣瀬 諒, 門野 武, 古賀 祥泰, 栗田 一成
    ” 「第12回シリコンテクノロジー分科会論⽂賞受賞記念講演」
    次世代CMOSイメージセンサ向け多元素分子イオン注入ウェーハにおける
    水素脱離挙動の反応速度論による解析と考察“
    2021年春季第68応用物理学会関連連合講演会 17p-Z26-2, 2021年3月
     
  23. 柾田 亜由美, 門野 武, 奥山 亮輔, 廣瀬 諒, 小林 弘治,鈴木 陽洋, 古賀 祥泰, 栗田 一成
    ” 3 次元積層型CIS 向け多元素イオン注入エピウェーハの特性(Ⅳ)
    -Dark current spectroscopy 法によるエピ層注入ウェーハの
    白キズ欠陥の抑制メカニズム解析- “
    2021年春季第68応用物理学会関連連合講演会 19a-Z29-4, 2021年3月
     
  24. 廣瀬 諒, 門野 武, 柾田 亜由美, 奥山 亮輔,小林 弘治, 鈴木 陽洋, 古賀 祥泰, 栗田 一成
    ” 3 次元積層型CIS 向け多元素イオン注入エピウェーハの特性（Ⅲ）
    -シリコン系分子イオン注入のゲッタリング特性- “
    2021年春季第68応用物理学会関連連合講演会 19a-Z29-3, 2021年3月
     
  25. 鈴木 陽洋, 門野 武, 廣瀬 諒, 小林 弘治, 柾田 亜由美, 奥山 亮輔,古賀 祥泰, 栗田 一成
    ” 3 次元積層型CIS 向け多元素分子イオン注入エピウェーハの製品特性（II）
    –CH4N イオン注入誘起欠陥の分解挙動の加熱TEM その場観察– “
    2021年春季第68応用物理学会関連連合講演会 19a-Z29-2, 2021年3月
     
  26. 奥山 亮輔, 柾田 亜由美, 鈴木 陽洋, 小林 弘治, 重松 理史, 廣瀬 諒, 門野 武, 古賀 祥泰, 栗田 一成
    ”3 次元積層型CIS 向け多元素イオン注入エピタキシャルウェーハの特性（I）
    -炭化水素分子イオン注入シリコンウェーハによるSiO2/Si 界面準位欠陥の低減-“
    2021年春季第68応用物理学会関連連合講演会 19a-Z29-1, 2021年3月
     
  27. 鈴木陽洋1，高橋和敏2，奥山亮輔1，門野武1，小林弘治1，廣瀬諒1，柾田亜由美1，古賀祥泰1，栗田一成1
    1：株式会社SUMCO 技術本部 評価・基盤技術部
    2：佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
     ”高分解能光電子分光を用いたSiO2/Si界面準位欠陥の生成消滅に伴う歪み状態変化の解析”
    公益財団法人九州シンクロトロン光研究センター研究成果報告会、資料ページ23、2020年10月21日
     
  28. 奥山 亮輔, 柾田 亜由美, 鈴木 陽洋, 小林 弘治, 重松 理史, 廣瀬 諒, 門野 武, 栗田 一成
    ” 高感度CMOSイメージセンサ向けシリコンウェーハの製品設計
    -炭化水素分子イオン注入によるSiO2/Si界面準位の制御-“
    2020年春季第67回応用物理学会関連連合講演会 12a-A202-6, 2020年3月
     
  29. 重松 理史,奥山 亮輔,廣瀬 諒,柾田 亜由美,門野 武,小林 弘治,鈴木 陽洋,古賀 祥泰,栗田 一成
    “炭化水素分子イオン注入領域における銅ゲッタリングに対する3次元アトムプローブを用いた酸素の影響解析”
    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会18p-C212-5, 2019年9月
     
  30. 古賀 祥泰 ，栗田 一成
    “常温接合によるSiC-BOX層SOIウェーハの検討”
    平成31年春季第66回応用物理学会関連連合講演会 10a-M113-1, 2019年3月
     
  31. 鈴木陽洋，門野 武，奥山 亮輔,廣瀬 諒，重松理史,小林弘治，柾田亜由美,
    古賀 祥泰 ,栗田一成
    “CMOS イメージセンサ向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの製品特性（II）–CH4N イオン注入エピタキシャルウェーハの基礎特性–”
    平成31年春季第66回応用物理学会関連連合講演会 12p-M111-3, 2019年3月
     
  32. 奥山 亮輔 ,重松理史,廣瀬 諒,小林弘治，柾田亜由美 ,門野 武, 古賀 祥泰 ,栗田一成
    “CMOSイメージセンサ向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの製品特性（I）-水素脱離挙動の反応速度論解析-
    平成31年春季第66回応用物理学会関連連合講演会 12p-M111-2, 2019年3月
     
  33. 古賀 祥泰 ，栗田 一成
     “常温接合によるダイヤモンドBOX層SOIウェーハの検討”その２
    平成30年秋季第79回応用物理学会学術講演会 18p-F206-14, 2018年9月
     
  34. 奥山 亮輔 ,重松理史,廣瀬 諒,小林弘治，柾田亜由美 ,門野 武, 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦,栗田一成
    “デバイス⼯程中の炭素クラスター注⼊領域の⽔素吸着脱離挙動解析”
    平成30年秋季第79回応用物理学会学術講演会 19p-131-10, 2018年9月
     
  35. 古賀 祥泰 ，栗田 一成
    “常温接合によるダイヤモンドBOX層SOIウェーハの検討”
    平成30年春季第65回応用物理学会関連連合講演会 18p-F206-14, 2018年3月
     
  36. 重松 理史, 奥山 亮輔, 廣瀬 諒, 柾田 亜由美, 門野 武, 古賀 祥泰, 奥田 秀彦, 栗田 一成
     “分子イオン注入エピウェーハの製品特性（5）”
    -3次元アトムプローブ法を用いたCH3Oイオン注入ウェーハに形成される注入欠陥のゲッタリング挙動解析-
    平成30年春季第65回応用物理学会関連連合講演会 18p-D103-5, 2018年3月
     
  37. 小林弘治，奥山 亮輔 ,重松理史,廣瀬 諒，柾田亜由美 ,門野 武, 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦,栗田一成
    “分子イオン注入Siエピウェーハの特徴（4）”
    -フラッシュランプ熱処理による注入欠陥の結晶性回復熱処理挙動解析-
    平成30年春季第65回応用物理学会関連連合講演会 18p-D103-4, 2018年3月
     
  38. 門野 武,奥山 亮輔 , 廣瀬 諒，柾田亜由美 ,小林弘治， 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦,栗田一成
     “分子イオン注入Siエピウェーハの特徴（3）”
    -RTA処理による注入欠陥に捕獲された水素の熱処理挙動解析-
    平成30年春季第65回応用物理学会関連連合講演会 18a-D103-3, 2018年3月
     
  39. 奥山 亮輔 ,重松理史,廣瀬 諒,小林弘治，柾田亜由美 ,門野 武, 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦,栗田一成
     “分子イオン注入Siエピウェーハの特徴（2）”
    -CH2P分子イオン注入領域における水素の脱離・吸着挙動解析-
    平成30年春季第65回応用物理学会関連連合講演会 18P-D103-2, 2018年3月
     
  40. 廣瀬 諒 , 奥山 亮輔, 門野 武, 柾田 亜由美, 重松 理史,小林弘治，古賀 祥泰, 奥田 秀彦, 栗田 一成
    “分子イオン注入Siエピウェーハの特徴（1）”
    -CH2P注入エピタキシャルウェーハ特性解析-
    平成30年春季第65回応用物理学会関連連合講演会 18p-D103-1, 2018年3月
     
  41. 廣瀬 諒1 , 奥山 亮輔1, 門野 武1, 柾田 亜由美1, 重松 理史1,古賀 祥泰1, 奥田 秀彦1, 栗田 一成1, 宮本直樹2
     株式会社SUMCO1, 日新イオン機器株式会社2
     “分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性（5）”
    -新規多元素・分子クラスターイオン注入技術開発-
    平成29年秋季第78回応用物理学会学術講演会6a-A503-6, 2017年9月
     
  42. 重松 理史, 奥山 亮輔, 廣瀬 諒, 柾田 亜由美, 門野 武, 古賀 祥泰, 奥田 秀彦, 栗田 一成
    “分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性（4）”
    -3次元アトムプローブによる重金属ゲッタリングメカニズムの解析-
    平成29年秋季第78回応用物理学会学術講演会6a-A503-5, 2017年9月
     
  43. 古賀 祥泰 ，栗田 一成
    “分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性（3）”
    － 常温接合プロセスにおける重金属の捕獲挙動 ―
    平成29年秋季第78回応用物理学会学術講演会6a-A503-4, 2017年9月
     
  44. 奥田 秀彦 , 柾田 亜由美 , 重松 理史, 廣瀬 諒 , 門野 武 奥山 亮輔 , 古賀 祥泰 , 栗田 一成
    “分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性（2）”
    -ダブルエピタキシャルウェーハのゲッタリング挙動解析-
    平成29年秋季第78回応用物理学会学術講演会6a-A503-3, 2017年9月
     
  45. 奥山 亮輔, 柾田 亜由美, 重松 理史, 廣瀬 諒, 門野 武, 古賀 祥泰, 奥田 秀彦, 栗田 一成
    “分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性(1)”
    -注入領域における水素の脱離・吸着挙動の解析-
    平成29年秋季第78回応用物理学会学術講演会6a-A503-2, 2017年9月
     
  46. 門野 武,奥山 亮輔 ,柾田亜由美 , 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦,栗田一成
    “炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（5）”
    平成29年春季第64回応用物理学会関連連合講演会15a-F201-5, 2017年3月
     
  47. 柾田 亜由美, 仲井 敏郎, 廣瀬 諒, 門野 武, 奥山 亮輔, 古賀 祥泰, 奥田 秀彦, 栗田 一成
    “炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（4）”
    平成29年春季第64回応用物理学会関連連合講演会15a-F201-4, 2017年3月
     
  48. 重松理史, 奥山 亮輔,廣瀬 諒,柾田亜由美 ,門野 武, 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦,栗田一成
    “炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（3）”
    平成29年春季第64回応用物理学会関連連合講演会15a-F201-3, 2017年3月
     
  49. 古賀 祥泰 ,栗田一成
     “炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（2）”
    平成29年春季第64回応用物理学会関連連合講演会15a-F201-2, 2017年3月
     
  50. 奥山 亮輔 ,重松理史,廣瀬 諒,柾田亜由美 ,門野 武, 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦,栗田一成
     “炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（1）”
    平成29年春季第64回応用物理学会関連連合講演会15a-F201-1, 2017年3月
     
  51. 廣瀬 諒, 門野 武, 奥山 亮輔, 古賀 祥泰, 奥田 秀彦,柾田亜由美,栗田 一成
     “炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（3）”
    -多元素・分子イオン注入技術の開発検討 (2)-
    平成28年秋季第77回応用物理学会学術講演会15p-23-7, 2016年9月
     
  52. 古賀 祥泰, 栗田 一成
    “炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（2）”
    -常温接合界面における酸素の捕獲能力(2) -
    平成28年秋季第77回応用物理学会学術講演会15p-A23-6, 2016年9月
     
  53. 柾田 亜由美, 仲井 敏郎, 廣瀬 諒, 門野 武, 奥山 亮輔, 古賀 祥泰, 奥田 秀彦, 栗田 一成
    “炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（1）”
    -注入層における酸素が重金属のゲッタリング能力に与える影響-
    平成28年秋季第77回応用物理学会学術講演会15p-A23-5, 2016年9月
     
  54. 廣瀬 諒,奥山 亮輔 ,門野 武,柾田亜由美 , 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦,栗田一成
    “炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（6）”
    -多元素・分子イオン注入技術の開発検討-
    平成28年春季第63回応用物理学会関連連合講演会20p-H113-6, 2016年3月
     
  55. 門野 武,奥山 亮輔 ,柾田亜由美 , 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦,栗田一成
    “炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（5）”
    -マイクロ波加熱処理がクラスター注入レンジに与える効果-
    平成28年春季第63回応用物理学会関連連合講演会20p-H113-5, 2016年3月
     
  56. 古賀 祥泰,栗田一成
    “炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（4）”
    -常温接合界面における酸素のゲッタリング能力-
    平成28年春季第63回応用物理学会関連連合講演会20p-H113-4, 2016年3月
     
  57. 奥田 秀彦,奥山 亮輔,門野 武,廣瀬 諒, 柾田亜由美,古賀 祥泰 ,栗田一成
    “炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（3）”
    -酸素に対する注入領域の捕獲能力-
    平成28年春季第63回応用物理学会関連連合講演会20p-H113-3, 2016年3月
     
  58. 奥山 亮輔 ,廣瀬 諒,柾田亜由美 ,門野 武, 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦,栗田一成
    “炭素クラスターイオンSi注入エピウェーハの特徴（2）”
    -水素に対する注入領域の捕獲能力-
    平成28年春季第63回応用物理学会関連連合講演会20p-H113-2, 2016年3月
     
  59. 栗田一成 ,奥山 亮輔 ,柾田亜由美 ,門野 武, 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦
    “炭素クラスターイオンSi注入エピウェーハの特徴（1）”
    -デバイス作製工程の重金属汚染に対するゲッタリング能力-
    平成28年春季第63回応用物理学会関連連合講演会20p-H113-1, 2016年3月
     
  60. 古賀 祥泰, 栗田一成
    “パワーデバイス向け貼り合せSOIウェーハBOX堆積法と常温接合の検討”
    平成27年秋季第76回応用物理学会学術講演会15a-A20-13, 2015年9月
    https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2015a/15a-A20-13/public/pdf?type=in
     
  61. 門野 武 , 奥山 亮輔, 廣瀬 諒 , 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦, 栗田一成
    “炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング”
    -レーザー散乱法を用いたクラスター照射領域の欠陥評価-”
    平成27年秋季第76回応用物理学会学術講演会15a-A20-12, 2015年9月
     
  62. 廣瀬 諒，奥山 亮輔 , 門野 武 , 岩永卓郎 , 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦,栗田一成
    “炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング（4）
    -低温クラスター照射が照射欠陥の形成に与える影響-”
    平成27年春季第62回応用物理学会関連講演会12p-A18-16, 2015年3月
     
  63. 奥田 秀彦，奥山 亮輔 , 岩永卓郎 , 門野 武 ， 古賀 祥泰 , 栗田一成
    “炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング（3）
    -エピ成長後の酸素の熱処理・拡散挙動-”
    平成27年春季第62回応用物理学会関連講演会12p-A18-15, 2015年3月
     
  64.  奥山 亮輔 , 門野 武 , 岩永卓郎 , 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦, 栗田一成
    “炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング（2）
    -エピタキシャル成長後の水素の熱処理・拡散挙動-”
    平成27年春季第62回応用物理学会関連講演会12p-A18-14, 2015年3月
     
  65. 栗田一成1 , 門野 武1 , G.S. Lee2 , J.G. Park2
    1株式会社SUMCO,2漢陽大学校
    “炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング（1）-CMOSセンサのデバイス特性にゲッタリングが与える効果-”
    平成27年春季第62回応用物理学会関連連合講演会12p-A18-13, 2015年3月
     
  66. 大仲亜由美 , 門野 武 ,三次伯知, 栗田一成
    “n型シリコンウェーハ中のFe関連準位の低温熱処理挙動”
    平成27年春季第62回応用物理学会関連講演会12p-A18-12, 2015年3月
     
  67. 古賀 祥泰, 栗田一成
    “軽元素ｲｵﾝ注入によるSiｳｪｰﾊ中の遷移金属に対する近接ｹﾞｯﾀﾘﾝｸﾞ効果(2)”
    平成26年秋季第75回応用物理学会学術講演会20a-A20-13, 2014年9月
     
  68. 奥山 亮輔 , 門野 武 , 岩永卓郎 , 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦, 栗田一成
    “炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング（2）
    -水素の拡散挙動と照射欠陥の形成に与える影響-”
    平成26年秋季第75回応用物理学会学術講演会20a-A20-12, 2014年9月
     
  69. 古賀 祥泰, 栗田一成 , 門野 武, 岩永卓郎 , 奥山 亮輔  , 奥田 秀彦
    “軽元素ｲｵﾝ注入によるSiｳｪｰﾊ中の遷移金属に対する近接ｹﾞｯﾀﾘﾝｸﾞ効果”
    平成26年春季第61回応用物理学会関連連合講演会19p-Ｆ9-13, 2014年3月
     
  70. 岩永卓郎, 門野 武 , 奥山 亮輔, 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦, 栗田一成
    “炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング（3）
    -p/p+エピウェーハにおける遷移金属のゲッタリング効果-”
    平成26年春季第61回応用物理学会関連連合講演会19p-Ｆ9-12, 2014年3月
     
  71. 奥山 亮輔 , 門野 武 , 岩永卓郎 , 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦, 栗田一成
    “炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング（2）
    -注入欠陥形成におけるサイズ、ドーズ量依存性-”
    平成26年春季第61回応用物理学会関連連合講演会19p-Ｆ9-11, 2014年3月
     
  72. 栗田一成 , 門野 武 , 奥山 亮輔 , 岩永卓郎 , 古賀 祥泰 , 奥田 秀彦
    “炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング（1）
    -遷移金属に対するゲッタリング効果-”
    平成26年春季第61回応用物理学会関連連合講演会19p-Ｆ9-10, 2014年3月
     
  73. 栗田一成 , 柴崎英明 , 降屋 久 , Jea-Gan Park
    “RTA熱処理ピュアシリコンウェーハのゲッタリング能力評価”
    平成13年春季第48回応用物理学会関連連合講演会28p-S9-15, 春季第１分冊，2001年3月
     
  74. 栗田一成 , 柴崎英明 , 室井幸男，降屋 久
    “低温熱処理ピュアシリコンウェーハのゲッタリング能力評価”
    平成12年秋季第61回応用物理学会関連連合講演会6p-z-5, 秋季第１分冊，2000年9月
     
  75. 根本 紀，栗田一成 , 柴崎英明 , 白木弘幸，室井幸男，降屋 久  
    “ピュアシリコンウェーハのゲッタリング能力評価”
    平成12年春季第47回応用物理学会関連連合講演会30p-YM-7, 春季第１分冊，2000年3月
     
  76. 栗田一成 , 新行内隆行  
    “溶液処理がSi結晶の再結合ライフタイムに与える影響”
    平成10年春季第45回応用物理学会関連連合講演会31p-YA-2, 春季第１分冊，1998年3月
     
  77. 栗田一成 , 新行内隆行  
    “キャリア注入水準がSi結晶の再結合ライフタイムに与える影響”
    平成9年秋季第58回応用物理学会関連連合講演会31p-YA-2, 秋季第１分冊，1997年9月
     
  78. 栗田一成 , 新行内隆行  
    “熱処理によって形成される表面近傍欠陥のDLTSによる評価”
    平成9年春季第44回応用物理学会関連連合講演会29a-L-8, 春季第１分冊，1997年3月
     
  79. 栗田一成 , 新行内隆行  
    “Si結晶の酸素析出物が再結合ライフタイムに与える影響”
    平成8年秋季第57回応用物理学会関連連合講演会9a-ZG-6, 秋季第１分冊，1996年9月
     
  80. 栗田一成 , 新行内隆行  
    “光照射によるFe-B結合の乖離がSi結晶の再結合ライフタイムに与える影響”
    平成8年春季第43回応用物理学会関連連合講演会28a-X-3, 春季第１分冊，1996年3月
     
  81. 栗田一成 , 新行内隆行  ，村上義男
    “Feのゲッタリング能力のDZ幅、エピ膜厚依存性”
    平成7年春季第42回応用物理学会関連連合講演会29a-ZW-7, 春季第１分冊，1995年3月
     
  82. 栗田一成 , 新行内隆行  
    “DLTS法による遷移金属汚染Si結晶の深い不純物準位の評価（２）”
    平成6年秋季第55回応用物理学会関連連合講演会9a-ZG-6, 秋季第１分冊，1994年9月
     
  83. 栗田一成 , 新行内隆行  ，村上義男
    “DLTS法による遷移金属汚染Si結晶の深い不純物準位の評価”
    平成6年春季第41回応用物理学会関連連合講演会29a-ZK-12, 春季第１分冊，1994年3月
 
 
(6) 特許（日本国登録特許）
  1.  半導体エピタキシャルウェーハの製造方法（令和6年8月13日）
    特許第7537356号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（令和3年5月10日）
     
  2. エピタキシャルシリコンウェーハのパッシベーション効果評価方法（令和5年4月17日）
    特許第7264012号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成31年11月6日）
     
  3. エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法（令和2年11月9日）
    特許第6791293号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成31年4月3日）
     
  4. エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ（令和3年12月6日）
    特許第6988990号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成31年2月25日）
     
  5. エピタキシャルシリコンウェーハの不純物ゲッタリング能力の評価方法（令和3年1月6日）
    特許第6819631号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成30年2月27日）
     
  6. エピタキシャルシリコンウェーハ（令和4年6月27日）
    特許第7095725号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年12月26日）
     
  7. エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法（令和2年12月21日）
    特許第6812962号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年12月26日）
     
  8. エピタキシャルシリコンウェーハの不純物ゲッタリング能力の評価方法及びエピタキシャルシリコンウェーハ（平成30年4月27日）
    特許第6327393号    
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年8月8日）
     
  9. エピタキシャル成長用の半導体ウェーハ、および半導体エピタキシャルウェーハの製造方法（令和4年6月13日）
    特許第7088239号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年6月14日）
     
  10. 半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハ（令和3年5月31日）
    特許第6891655号    
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年6月14日）
     
  11. エピタキシャル成長用の半導体ウェーハの製造方法及び半導体エピタキシャルウェーハの製造方法（令和2年10月5日）
    特許第6772966号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年6月14日）
     
  12. 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ（平成30年1月5日）
    特許第6265291号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年3月28日）
     
  13. エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法（令和2年7月6日）
    特許第6729447号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29月2月24日）
     
  14. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法（平成31年1月11日）
    特許第6459948号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成27年12月15日）
     
  15. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法（平成31年3月1日）
    特許第6485315号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成27年10月15日）
     
  16. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、品質予測方法および品質評価方法（平成31年3月15日）
    特許第6493104号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成27年9月3日）
     
  17. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法（平成29年5月12日）
    特許第6137165号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成26年12月25日）
     
  18. エピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法、ならびに、固体撮像素子の製造方法（令和1年6月21日）
    特許第6539959号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成26年8月28日）
     
  19. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法（平成29年10月13日）
    特許第6221928号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成26年5月13日）
     
  20. エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ
    （平成28年12月16日）
    特許第6056772号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成26年1月7日）
     
  21. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法（令和1年6月7日）
    特許第6535432号    
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  22. 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ（平成29年10月27日）
    特許第6229258号    
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  23. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法（平成30年1月26日）
    特許第6278591号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  24. エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法（平成30年1月26日）
    特許第6280301号    
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  25. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法（平成30年2月16日）
    特許第6289805号    
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  26. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法（平成30年1月26日）
    特許第6278592号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  27. エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法（平成29年3月17日）
    特許第6107068号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  28. エピタキシャルシリコンウェーハの汚染評価方法およびエピタキシャル成長装置炉内の汚染評価方法（平成29年1月13日）
    特許第6070095号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  29. エピタキシャル成長装置炉内の汚染評価方法および汚染評価用テストウェーハ（平成29年5月12日）
    特許第6136205号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  30. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法（平成27年9月4日）
    特許第5799936号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  31. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法（平成27年9月4日）
    特許第5799935号
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  32. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法（平成27年1月9日）
    特許第5673811号    
    発明者：門野 武、栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年3月19日）
     
  33. シリコンウェーハの製造方法（平成26年4月4日）
    特許第5510256号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年10月6日）
     
  34. シリコンウェーハの製造方法（平成26年3月28日）
    特許第5505241号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年10月6日）
     
  35. シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法（平成26年8月29日）
    特許第5600948号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成22年1月29日）
     
  36. 固体撮像素子およびその製造方法（平成22年12月24日）
    特許第4650584号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年12月28日）
     
  37. 高抵抗シリコンウェーハの製造方法（平成28年4月22日）
    特許第5922860号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年6月19日）
     
  38. 高抵抗シリコンウェーハの製造方法（平成28年4月22日）
    特許第5922858号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年3月3日）
     
  39. 裏面照射型固体撮像素子用ウェーハの製造方法（平成27年2月20日）
    特許第5696349号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年9月5日）
     
  40. 炭素ドープ単結晶製造方法（平成24年10月12日）
    特許第5104437号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年3月18日）
     
  41. シリコン基板とその製造方法（平成25年11月8日）
    特許第5401808号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年3月5日）
     
  42. シリコン基板とその製造方法（平成25年11月8日）
    特許第5401809号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年3月5日）
     
  43. シリコン基板とその製造方法（平成25年8月23日）
    特許第5343371号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年3月5日）
     
  44. 固体撮像素子用半導体基板およびその製造方法（平成22年12月24日）
    特許第4650493号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成19年9月7日）
     
  45. シリコンウェーハおよびその製造方法(平成24年9月7日)
    特許第5076326号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO(平成18年1月31日)
     
  46. 高周波ダイオードおよびその製造方法(平成24年10月12日)
    特許第5103745号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO(平成18年1月31日)
     
  47. 高抵抗シリコンウェーハの製造方法、並びにエピタキシャルウェーハおよびSOIウェーハの製造方法(平成21年4月10日)
    特許第4289354号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO(平成16年8月2日)
     
  48. シリコン単結晶インゴットの点欠陥分布を測定する方法(平成20年10月17日)
    特許第4200845号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO(平成15年8月19日)
     
  49. シリコン単結晶インゴットの点欠陥分布を測定する方法(平成19年3月30日)
    特許第3933010号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO(平成14年8月23日)
     
  50. シリコン単結晶インゴットの点欠陥分布を測定する方法(平成19年2月16日)
    特許第3915606号
    発明者：栗田一成
    出願人：三菱マテリアル株式会社(平成14年6月14日)
     
  51. 高抵抗シリコンウェーハの製造方法(平成17年10月20日)
    特許第4656284号
    発明者：栗田一成
    出願人：株式会社SUMCO(平成16年4月2日）
     
  52. シリコン単結晶の鉄検出法及び鉄汚染濃度評価法（平成14年6月21日）
    特許第3319496号
    発明者：栗田一成
    出願人：三菱マテリアル株式会社（平成8年2月15日）
 
 
(7) 特許出願（日本国）
  1.  エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法(令和7年5月13日)
    特願2023-184915
    発明者：小林  弘治、栗田 一成、門野 武
    出願人：株式会社SUMCO（令和5年10月27日）
     
  2. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法(令和6年6月27日)
    特願2022-200565
    発明者：小林  弘治、奥山亮輔、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（令和4年12月15日）
     
  3. ウェーハ端面部の評価方法(令和5年6月20日)
    特願2021-199601
    発明者：小林  弘治、門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（令和3年12月8日）
     
  4. 半導体エピタキシャルウェーハおよびその製造方法(令和4年11月22日)
    特願2021-079987
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（令和3年5月10日）
     
  5. エピタキシャルシリコンウェーハのパッシベーション効果評価方法(令和3年5月20日)
    特願2019-201561
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（令和1年11月6日）
     
  6. エピタキシャルシリコンウェーハ(令和3年5月20日)
    特願2020-185382
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（令和2年11月5日）
     
  7. エピタキシャル成長用の半導体ウェーハ、および半導体エピタキシャルウェーハの製造方法(令和2年12月10日)
    特願2020-139655
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（令和2年8月20日）
     
  8. エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法(令和2年10月15日)
    特願2019-071511
    発明者：小林  弘治、奥山 亮輔、門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成31年4月3日）
     
  9. エピタキシャルシリコンウェーハの不純物ゲッタリング能力の評価方法(令和1年9月5日)
    特願2018-033766
    発明者：小林  弘治、奥山 亮輔、門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成30年2月27日）
     
  10. エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法(令和1年7月18日)
    特願2017-249862
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年12月26日）
     
  11. エピタキシャル成長用の半導体ウェーハの製造方法及び半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 (平成31年1月10日)
    特願2017-249862
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年6月14日）
     
  12. 半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハ(平成31年1月10日)
    特願2017-117129
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年6月14日）
     
  13. エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法(平成30年9月6日)
    特願2017-34013
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年2月24日）
     
  14. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法(平成29年10月5日)
    特願2017-34013
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年5月11日）
     
  15. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法(平成29年9月28日)
    特願2017-91477
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年5月1日）
     
  16. エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法(平成29年9月28日)
    特願2017-91475
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年5月1日）
     
  17. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法(平成29年9月28日)
    特願2017-91475
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年5月1日）
     
  18. 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ(平成29年8月17日)
    特願2017-91475
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年3月28日）
     
  19. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法(平成29年7月13日)
    特願2017-91475
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年2月28日）
     
  20. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法(平成29年7月13日)
    特願2017-37374
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成29年2月28日）
     
  21. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法(平成29年6月22日)
    特願2017-37374
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成27年12月15日）
     
  22. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法 (平成29年4月20日)
    特願2017-37374
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成27年10月15日）
     
  23. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、品質予測方法および品質評価方法(平成29年3月9日)
    特願2015-173959
    発明者：奥山亮輔、廣瀬 諒、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成27年9月3日）
     
  24. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法(平成28年7月7日)
    特願2014-262746
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成26年12月25日）
     
  25. 半導体エピタキシャルウェーハおよびその製造方法、ならびに、固体撮像素子の製造方法(平成28年4月11日)
    特願2014-174330
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成26年8月28日）
     
  26. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法(平成27年12月7日)
    特願2014-100289
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成26年5月14日）
     
  27. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法(平成27年12月3日)
    特願2014-99378
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成26年5月13日）
     
  28. エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法(平成27年7月16日)
    特願2014-1098
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成26年1月7日）
     
  29. エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ(平成27年7月16日)
    特願2014-1074
    発明者：岩永卓郎、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成26年1月7日）
     
  30. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法(平成26年5月29日)
    特願2012-249731
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  31. エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 (平成26年5月29日)
    特願2012-249681
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  32. エピタキシャル成長装置炉内の汚染評価方法および汚染評価用テストウェーハ(平成26年5月29日)
    特願2012-249681
    発明者：佐俣  秀一、門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  33. エピタキシャルシリコンウェーハの汚染評価方法およびエピタキシャル成長装置炉内の汚染評価方法 (平成26年5月29日)
    特願2012-249659
    発明者：佐々木 駿、門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  34. 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ(平成26年5月29日)
    特願2012-249655
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  35. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法(平成26年5月29日)
    特願2012-249652
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  36. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法(平成26年5月29日)
    特願2012-249598
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  37. エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法(平成26年5月29日)
    特願2012-249437
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  38. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法(平成26年5月29日)
    特願2012-249370
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  39. 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法(平成26年5月29日)
    特願2012-249358
    発明者：門野 武、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成24年11月13日）
     
  40. 裏面照射型固体撮像素子用エピタキシャル基板およびその製造方法(平成24年7月19日)
    特願2011-270593
    発明者：表 秀一、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成23年12月9日）
     
  41. シリコンウェーハの製造方法(平成24年4月19日)
    特願2011-270593
    発明者：古賀  祥泰、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成22年10月6日）
     
  42. シリコンウェーハの製造方法(平成24年4月19日)
    特願2010-226744
    発明者：古賀  祥泰、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成22年10月6日）
     
  43. 半導体ウェーハの薄厚化方法および貼り合せウェーハの製造方法(平成24年2月23日)
    特願2010-177978
    発明者：菊池大輔、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成22年8月6日）
     
  44. エピタキシャル基板およびその製造方法 (平成23年12月15日)
    特願2010-127557
    発明者：表 秀一、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成22年6月3日）
     
  45. 半導体ウェーハの製造方法 (平成23年10月13日)
    特願2010-69417
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成22年3月25日）
     
  46. シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法(平成23年8月18日)
    特願2010-18469
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成22年1月29日）
     
  47. シリコンウェーハの製造装置(平成23年8月18日)
    特願2010-18434
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成22年1月29日）
     
  48. シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法(平成23年8月18日)
    特願2010-18424
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成22年1月29日）
     
  49. シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法(平成23年8月18日)
    特願2010-18282
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成22年1月29日）
     
  50. 裏面照射型固体撮像素子用エピタキシャル基板およびその製造方法(平成23年4月28日)
    特願2009-237164
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年10月14日）
     
  51. 裏面照射型固体撮像素子用エピタキシャル基板およびその製造方法 (平成23年4月28日)
    特願2009-237065
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年10月14日）
     
  52. 裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法(平成23年3月17日)
    特願2009-204587
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年9月4日）
     
  53. エピタキシャル基板およびその製造方法(平成23年12月15日)
    特願2010-127557
    発明者：表 秀一、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成22年6月3日）
     
  54. 半導体ウェーハの製造方法(平成23年10月13日)
    特願2010-69417
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成22年3月25日）
     
  55. シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法(平成23年8月18日)
    特願2010-18469
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成22年1月29日）
     
  56. シリコンウェーハの製造方法(平成23年8月18日)
    特願2010-18434
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成22年1月29日）
     
  57. シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法(平成23年8月18日)
    特願2010-18424
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成22年1月29日）
     
  58. シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法(平成23年8月18日)
    特願2010-18282
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成22年1月29日）
     
  59. 裏面照射型固体撮像素子用エピタキシャル基板およびその製造方法(平成23年4月28日)
    特願2010-18282
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年10月14日）
     
  60. 裏面照射型固体撮像素子用エピタキシャル基板およびその製造方法(平成23年4月28日)
    特願2009-237164
    発明者：表 秀一、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年10月14日）
     
  61. 裏面照射型固体撮像素子用エピタキシャル基板およびその製造方法(平成23年4月28日)
    特願2009-237065
    発明者：表 秀一、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年10月14日）
     
  62. 裏面照射型固体撮像素子用エピタキシャル基板およびその製造方法(平成23年3月17日)
    特願2009-204587
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年9月4日）
     
  63. 裏面照射型固体撮像素子用エピタキシャル基板およびその製造方法(平成23年3月17日)
    特願2009-202434
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年9月4日）
     
  64. 裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法(平成23年3月17日)
    特願2009-201894
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年9月1日）
     
  65. 裏面照射型固体撮像素子用ウェーハの製造方法(平成23年3月17日)
    特願2009-200421
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年8月31日）
     
  66. 高抵抗シリコンウェーハおよびその製造方法(平成23年3月17日)
    特願2009-200420
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年8月31日）
     
  67. 高周波デバイス向けシリコンウェーハおよびその製造方法(平成23年3月17日)
    特願2009-200419
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年8月31日）
     
  68. 薄厚化デバイス素子用シリコンウェーハの製造方法(平成23年3月17日)
    特願2009-200418
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年8月31日）
     
  69. シリコン基板とその製造方法 (平成23年3月17日)
    特願2009-199904
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年8月31日）
     
  70. シリコン基板とその製造方法 (平成23年2月3日)
    特願2009-167071
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年7月15日）
     
  71. 高抵抗シリコンウェーハおよびその製造方法(平成23年2月3日)
    特願2009-146996
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年6月19日）
     
  72. 固体撮像素子用エピタキシャル基板の製造方法、固体撮像素子の製造方法 (平成22年12月16日)
    特願2009-136363
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年6月5日）
     
  73. 半導体デバイス向け半導体基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法、半導体デバイスの製造装置 (平成22年12月16日)
    特願2009-136362
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年6月5日）
     
  74. 半導体デバイス向け半導体基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法、半導体デバイスの製造装置 (平成22年12月16日)
    特願2009-136024
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年6月5日）
     
  75. 半導体デバイス向け半導体基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法、半導体デバイスの製造装置 (平成22年12月16日)
    特願2009-136024
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年6月5日）
     
  76. 半導体デバイス向け半導体基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法、半導体デバイスの製造装置 (平成22年12月16日)
    特願2009-133180
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年6月2日）
     
  77. 裏面照射型固体撮像素子用ウェーハおよびその製造方法ならびに裏面照射型固体撮像素子(平成22年10月14日)
    特願2009-78306
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年3月27日）
     
  78. シリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルウェーハの製造方法、および固体撮像素子の製造方法(平成22年10月7日)
    特願2009-69601
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年3月23日）
     
  79. 高抵抗シリコンウェーハおよびその製造方法(平成22年9月16日)
    特願2009-49908
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年3月3日）
     
  80. 固体撮像素子およびその製造方法(平成22年5月13日)
    特願2009-298591
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成21年12月28日）
     
  81. 裏面照射型固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子用エピタキシャル基板(平成22年4月30日)
    特願2008-267343
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年10月16日）
     
  82. 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス(平成22年4月30日)
    特願2008-267342
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年10月16日）
     
  83. 固体撮像素子用エピタキシャル基板の製造方法、固体撮像素子用エピタキシャル基板(平成22年4月30日)
    特願2008-267341
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年10月16日）
     
  84. 裏面照射型固体撮像素子用ウェーハの製造方法(平成22年4月30日)
    特願2008-227965
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年9月5日）
     
  85. 裏面照射型固体撮像素子用ウェーハの製造方法(平成22年4月30日)
    特願2008-212577
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年8月21日）
     
  86. 裏面照射型固体撮像素子用ウェーハ、その製造方法及び裏面照射型固体撮像素子(平成22年2月18日)
    特願2008-200572
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年8月4日）
     
  87. 固体撮像素子用シリコン基板およびその製造方法(平成22年1月14日)
    特願2008-171259
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年6月30日）
     
  88. 裏面照射型固体撮像素子用ウェーハ、その製造方法及び裏面照射型固体撮像素子 (平成21年12月3日)
    特願2008-131699
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年5月20日）
     
  89. 半導体ウェーハの製造方法(平成21年11月19日)
    特願2008-121602
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年5月7日）
     
  90. 半導体基板の重金属検出方法(平成21年11月5日)
    特願2008-105782
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年4月15日）
     
  91. 薄厚シリコンウェーハおよびその製造方法 (平成21年11月5日)
    特願2008-105781
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年4月15日）
     
  92. 裏面照射型固体撮像素子用ウェーハ、その製造方法及び裏面照射型固体撮像素子(平成21年10月8日)
    特願2008-77756
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年3月25日）
     
  93. 炭素ドープ単結晶製造方法(平成21年10月1日)
    特願2008-68872
    発明者：藤原  秀樹、池田  直紀、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年3月18日）
     
  94. 炭素ドープ単結晶製造方法(平成21年10月1日)
    特願2008-68872
    発明者：藤原  秀樹、池田  直紀、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年3月18日）
     
  95. シリコン基板の製造方法(平成21年9月17日)
    特願2008-54843
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年3月5日）
     
  96. シリコン基板の製造方法(平成21年9月17日)
    特願2008-54842
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年3月5日）
     
  97. シリコン基板の製造方法(平成21年9月17日)
    特願2008-54841
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年3月5日）
     
  98. シリコン基板の製造方法(平成21年9月17日)
    特願2008-54840
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年3月5日）
     
  99. シリコン基板とその製造方法(平成21年9月10日)
    特願2008-49847
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成20年2月29日）
     
  100. シリコンウェーハの製造方法(平成19年8月30日)
    特願2006-38485
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成18年2月15日）
     
  101. シリコンウェーハ及びシリコンウェーハの製造方法 (平成19年8月30日)
    特願2005-88150
    発明者：小野  敏昭、杉村  渉、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成17年3月25日）
     
  102. 高抵抗シリコンウェーハの製造方法(平成17年10月20日)
    特願2004-110126
    発明者：木原  誉之、定光  信介、高尾  浩之、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成16年4月2日）
     
  103. 高抵抗シリコンウェーハの製造方法(平成17年10月20日)
    特願2004-110126
    発明者：木原  誉之、定光  信介、高尾  浩之、栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成16年4月2日）
     
  104. シリコンインゴット及びシリコンウェーハの重金属汚染評価方法(平成17年6月9日)
    特願2003-384480
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成15年11月14日）
     
  105. シリコン単結晶インゴットの点欠陥分布を測定する方法(平成16年7月8日)
    特願2003-384480
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成15年8月19日）
     
  106. シリコン単結晶インゴットの点欠陥分布を測定する方法(平成16年3月18日)
    特願2002-243651
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成14年8月23日）
     
  107. シリコン単結晶インゴットの点欠陥分布を測定する方法(平成16年1月22日)
    特願2002-174787
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成14年6月14日）
     
  108. シリコン単結晶インゴットの点欠陥分布を測定する方法(平成15年11月25日)
    特願2002-147362
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成14年5月22日）
     
  109. シリコン単結晶インゴットの点欠陥分布を測定する方法(平成14年5月10日) 
    特願2000-328795
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成12年10月27日）
     
  110. シリコン単結晶インゴットの点欠陥分布を測定する方法(平成14年5月10日) 
    特願2000-328794
    発明者：栗田 一成
    出願人：株式会社SUMCO（平成12年10月27日）
     
  111. シリコンウェーハの熱処理方法(平成13年8月10日) 
    特願2000-331700
    発明者：栗田 一成
    出願人：三菱マテリアル株式会社（平成12年10月31日）
     
  112. シリコン単結晶の鉄検出法及び鉄汚染濃度評価法 (平成9年8月19日) 
    特願平8－27909
    発明者：栗田 一成
    出願人：三菱マテリアル株式会社（平成8年2月15日）
     
  113. デバイス製造工程に適するＩＧウェーハのＤＺ幅の決定方法(平成8年10月11日) 
    特願平7－60221
    発明者：栗田 一成
    出願人：三菱マテリアル株式会社（平成7年3月20日）
 
 
(8) その他（企業内人材育成・教育活動）
株式会社SUMCO評価・基盤技術部 製品基盤技術課における分子クラスターエピ製品の研究開発業務により博士号を授与された研究員

[小林弘治]
  • 学位授与大学：岡山県立大学
  • 学位授与日：2025年3月22日
  • 学位論文題目：
    炭化水素分子イオン注入Siウェーハ表面の再結晶化挙動に関する研究
  • 学位論文情報：
    https://oka-pu.repo.nii.ac.jp/records/2000257

[門野 武]
  • 学位授与大学：宮崎大学
  • 学位授与日：2023年9月25日
  • 学位論文題目：
     分子イオン注入技術によりゲッタリング能力を付与した高感度CMOSイメージセンサ向けSiウェーハ
  • 学位論文情報：
    https://miyazaki-u.repo.nii.ac.jp/records/2000074

[古賀 祥泰]
  • 学位授与大学：東北大学
  • 学位授与日：2023年3月25日
  • 学位論文題目：
    Silicon Wafers with Different Functional Layers Embedded by Direct Bonding for Sensors and Power Devices 「直接接合によって異なる機能層を埋め込んだセンサー・パワーデバイス用シリコンウェーハ」
  • 学位論文情報：
    http://www.mems.mech.tohoku.ac.jp/documents/alumni.html

[奥山亮輔]
[廣瀬 涼]
  • 学位授与大学：京都大学
  • 学位授与日：2020年3月23日
  • 学位論文題目：
    Novel molecular ion implantation technology for proximity gettering in silicon wafer for CMOS image sensor
  • 学位論文情報：
    http://hdl.handle.net/2433/253278

[柾田亜由美]
  • 学位授与大学：岡山県立大学
  • 学位授与日：2019年3月22日
  • 学位論文題目：
    高感度ＣＭＯＳイメージセンサ用Ｓｉウェーハの ゲッタリング特性に関する研究
  • 学位論文情報：
    https://oka-pu.repo.nii.ac.jp/records/2318